Toshiba e-Studio 162 Service Manual page 132

C
VCC3
R49
10kJ
A17
D15
D7
D14
D6
D13
D5
D12
D4
D11
D3
D10
D2
D9
D1
D8
D0
RDZ
/CS0 (1-A2)
A1
C75
0.1u
5 LH28F800BJE-PBTL90
0J
C
D
VCC3
IC6
1
VCC
RAMDB0 2
DQ0
3
VCCQ
RAMDB1 4
DQ1
RAMDB2 5
DQ2
6
VSSQ
RAMDB3 7
DQ3
RAMDB4 8
DQ4
9
VCCQ
RAMDB5 10
DQ5
RAMDB6 11
DQ6
12
VSSQ
RAMDB7 13
DQ7
14
VCC
15
(2-A2) DQM0 LDQM
16
(2-A2) /SDWDE WE
17
(2-A2) /SDCAS CAS
18
(2-A2) /SDRAS RAS
19
(2-A3) /SDCS CS
20
(2-A3) BANK0 BA0
21
(2-A3)
BANK1 BA1
MAD10 22
A10
MAD0 23
A0
MAD1 24
A1
MAD2 25
A2
MAD3 26
A3
27
VCC
SDRAM (16bit x 4bank)
VCC3
C76 C77
0.1u 0.1u
IC6
SDRAM
128Mb(2Mx16bitx4bank)
64Mb(1Mx16bitx4bank)
D
e-STUDIO162/162D/151/151D CIRCUIT DIAGRAM 14 - 6
VCC3
54
VSS
53 RAMDB15
DQ15
52
VSSQ
51 RAMDB14
DQ14
50 RAMDB13
DQ13
49
VCCQ
48 RAMDB12
DQ12
47 RAMDB11
DQ11
46
VSSQ
45 RAMDB10
DQ10
44 RAMDB9
DQ9
43
VCCQ
42 RAMDB8
DQ8
41
VSS
40
NC
39
DQM1 (2-A2)
UDQM
38
CLK SDCLK (2-A2)
37
CLKE SDCKE (2-A2)
36
NC
35
A11
34
A9
33
A8
32
A7
31
A6
30
A5
29
A4
28
VSS
C399
N.M.
C78 C79 C80 C81 C82
0.1u 0.1u 0.1u 0.1u 0.1u
Vendor/Type
MT48LC8M16A2TG-75(Micron)
HY57V281620HCT(Hyndai)
K4S281632E-TC75(Samsung)
W981216BH-75(Winbond)
HY57V641620HGT-P Hyndai)
MT48LC4M16A2TG-75 Micron)
K4S641632F-TC75(Samsung)
K4S641632E-TC1H(Samsung)
W986416DH-7(Winbond)
E
RAMDB[15..0] (2-A2)
R50 0J
MAD12
MAD11
MAD9
MAD8
MAD7
MAD6
MAD5
MAD4
MAD[12..0] (2-A3)
E
3/14
4
3
2
1