Siemens SITRANS P500 Compact Operating Instructions page 58

Certifikáty a schválení
● Ochrana před výbuchem pro Kanadu
(podle CSA )
C US
● Certificate of Compliance (certifikát o
shodě)
Označení (XP/DIP)
Přípustná teplota okolí
Entity parameters (XP/DIP)
(parametry entity (XP/DIP))
Označení (ia/ib)
Přípustná teplota okolí
Entity parameters (parametry entity)
Označení (NI/n)
Přípustná teplota okolí
Parametry NI/nA
parametry nL
Známky
Všechny názvy označené ochrannou známkou ® jsou zapsané známky firmy Siemens AG. Ostatní názvy v této tiskovině mohou být
značkami, jejichž používání třetími subjekty pro své účely může porušovat práva majitelů.
Vyloučení odpovědnosti
Zkontrolovali jsme obsah tiskoviny, zda je v souladu s popsaným hardwarem a softwarem. Přesto nelze vyloučit odchylky, takže nemůžeme
převzít odpovědnost za kompletní shodu. Údaje v této tiskovině jsou pravidelně kontrolovány, potřebné opravy jsou uvedeny v následujících
vydáních.
Siemens AG
Industry Sector
Postfach 48 48
90026 NÜRNBERG
SITRANS P500 se zařízením HART
56
A5E02307340, 09/2010
No. 2280963
CL I, DIV 1, GP ABCD T4/T6;
CL II, DIV 1, GP EFG T4/T6
T = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
T = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
a
Podle „control drawing":
V = 45 V
max
CL I, Ex ia/Ex ib IIC, T4;
CL II, III, Ex ia/Ex ib, GP EFG, T4;
CL I, AEx ia/AEx ib IIC, T4;
CL II, III, AEx ia/ AEx ib, GP EFG, T4
T = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
a
U = 30 V, I = 100 mA, P
i i
R = 300 Ω , L = 400 μH, C
i i
CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6;
CL II, III, DIV 2, GP FG T4/T6;
Ex nA IIC T4/T6;
AEx nA IIC T4/T6;
Ex nL IIC T4/T6;
AEx nL IIC T4/T6
Ta = T4: -40 ... +85 °C (-40 ... +185 °F)
Ta = T6: -40 ... +60 °C (-40 ... +140 °F)
Podle „control drawing":
U = 45 V
m
Podle „control drawing":
U = 45 V, I = 100 mA,
i i
L = 400 μH, C = 6 nF
i i
= 750 mW,
i
= 6 nF
i
SITRANS P500 se zařízením HART
A5E02307340-02, 09/2010