MSI G4M-e43 User Manual page 42

intel eiSt
향상된 intel SpeedStep 기술로 인해 배터리 또는 aC 전원 중 어떤 방식으로 컴
퓨터를 실행되느냐에 따라 마이크로프로세서의 성능 레벨을 설정할 수 있습니다.
speedstep 기술을 지원하는 CPu를 설치하면 이 필드가 표시됩니다.
adjust CPu FSB Frequency (CPu FSB 주파수 조정) (MHz)
이 항목에서 CPu FSB 주파수를 조정할 수 있습니다.
adjusted CPu Frequency (조정된 CPu 주파수) (MHz)
이 항목은 조정된 CPu 주파수를 표시합니다 (FSB x Ratio). 읽기 전용입니다.
MeMoRy-Z (메모리-Z)
<enter>를 눌러 하위 메뉴를 시작합니다.
diMM/2 Memory SPd information (diMM~2 메모리 SPd 정보)
<enter>를 눌러 하위 메뉴를 시작합니다. 이 하위 메뉴는 설치된 메모리의 정
보를 표시합니다.
advance dRaM Configuration (고급 dRaM 구성)
<enter>를 눌러 하위 메뉴를 시작합니다.
dRaM timing Mode (dRaM 타이밍 모드)
dRaM 모듈의 SPd (시리얼 존재 감지) eePRoM에 의해 dRaM 타이밍을 제
어하는지 어떤지 선택합니다.[auto By SPd]으로 설정하면 SPd 구성을 기준으
로 하는 BioS 에 의해 dRaM 타이밍 및 다음 관련 항목을 판별할 수 있습니다.
[Manual(수동)]으로 설정하면 사용자가 dRaM 타이밍 및 다음 관련 항목을 수동
으로 설성할 수 있습니다.
CaS Latency (CaS 대기 시간) (CL)
dRaM 타이밍 모드가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수
있습니다.이렇게 되면 SdRaM이 읽기 명령을 받아서 이 명령을 시작하기 전에
(클록 사이클의) 타이밍 지연을 결정하는 CaS 대기 시간을 제어합니다.
tRCd
dRaM 타이밍 모드가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수
있습니다. dRaM이 재충전되면 행과 열이 따로 분리됩니다. 이 설정 항목을 사용
하면 RaS(열 주소)에서 CaS(행 주소)로의 변환 타이밍을 결정할 수 있습니다.
클록 사이클이 짧을수록 dRaM 성능이 빨라집니다.
tRP
dRaM 타이밍 모드가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할
수 있습니다. 이 항목은 사전에 충전할 수 있는 RaS 사이클 수를 제어합니다.
dRaM 재충전 이전에 RaS가 충전 시간을 충분히 갖지 못할 경우, 충전이 불충
분해서 dRaM이 데이터를 보존하지 못할 수 있습니다. 이 항목은 시스템에 동기
화 dRaM이 설치된경우에만 적용됩니다.
tRaS
dRaM 타이밍 모드가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할
수 있습니다. 이 설정은 RaS가 메모리 셀로부터 읽거나 메모리 셀에 쓰는 데 걸
리는 시간을 결정합니다.
tRtP
dRaM 타이밍 모드가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수
있습니다. 읽기 명령과 사전 충전 명령 간의 시간 간격을 결정합니다.
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