MSI G4M-e43 User Manual page 152

Speed StepテクノロジーはCPuの負荷に応じて電圧と周波数を変化させ、パフ
ォーマンスと省電力を両立させCPuの発熱を抑える機能です。拡張版インテル
Speed Stepテクノロジー(eiSt)をサポートするCPuを搭載した場合に設定が可
能です。
adjust CPu FSB Frequency (MHz) (CPu FSB周波数を調整する)
CPu FSB周波数を調整します。
adjusted CPu Frequency (MHz) (調整したCPu周波数)
調整したCPu周波数 (FSB x 倍率)を表示します。読取専用です。
MeMoRy-Z
<enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。
diMM/2 Memory SPd information (diMM/2メモリSPd情報)
<enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。装着されたメモリの情
報を表示します。
advance dRaM Configuration (高級なdRaM配置)
<enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。
dRaM timing Mode (dRaMタイミングモード)
この項目でdRaMタイミングがdRaMモジュールのSPd (Serial Presence de-
tect) eePRoM情報によりコントロールするかどうかを決定します。[auto By
SPd]に設定すると、SPdの情報を基に、自動的に最適な設定を行います。
[Manual]に設定すると、以下のメニューを手動で設定します。
CaS Latency (CL)
[dRaM timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。SdRaMが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでのタイ
ミング遅延であるCaSレイテンシーを設定します｡
tRCd
[dRaM timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。RaS(行アドレス信号)とCaS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定し
ます。一般的にクロックサイクル値が小さいほどdRaMの動作速度が上がり
ます。
tRP
[dRaM timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。dRaMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定し
ます。RaS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するた
めの時間が足りない場合はdRaMのリフレッシュは不完全になり、dRaMが
データを保持できなくなることがあります。システムに同期dRaMをインス
トールした場合のみこの項目が利用できます。
tRaS
[dRaM timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。RaS(行アドレス信号)を発信してからデータが読み出されるまでの時間
です。
tRtP
[dRaM timing Mode]を[Manual]に設定すると、この設定はデータ読み込みと
プリチャージ命令の時間間隔をコントロールします。
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