MSI G4M-e43 User Manual page 116

Memory-Z
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diMM/2 Memory SPd information（内存速度信息）
按<enter>进入子菜单， 此菜单显示已安装内存信息。
advance dRaM Configuration（高级dRaM配置）
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dRaM timing Mode （dRaM 时序模式）
选择内存时序是否被dRaM模组中的SPd（Serial Presence detect）所控制。
设定 [auto By SPd] ， BioS通过配置中的SPd，来设定内存时序和下列相关选
项。设定 [Manual]， 允许用户配置内存时序参数和手动设置下列选项。
CaS Latency (CL)
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项控制行位址信号（
CaS）延迟，即在SdRaM接收读取指令后，开始进行读取前的延迟时间（在时
钟周期内）。
tRCd
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。在dRaM 重置时，列和
栏位置是分开处理的。此项设定列位址 （RaS）到行位址（CaS）和信号之间
的延迟时间。时序数越少，dRaM 的效能越好。
tRP
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项可以控制列位址（
RaS）预充电的时序。若无足够时间，让列位址在dRaM更新之前预充电，更
新可能会不完全，而且dRaM可能漏失资料。此项仅适用于系统安装同步动态
随机存取内存时。
tRaS
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定RaS由读取到
写入内存所需时间。
tRtP
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定读指令和预充
电之间的时间间隔。
tRFC
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定RFC由读取到
写入内存所需时间。
tWR
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定从整个有效的
写入过程到内存预充电之间的延迟时脉。为确保预充电前，写入缓冲器的资料
能确实写入内存。
tRRd
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定不同内存块ac-
tive-to-active 的延迟。
tWtR
当dRaM timing Mode 设置为 [Manual]，此项调整。此项控制写入资料到读取
指令延迟的内存时序。 包含最后有效读入过程到下次读取指令给同台ddR 装置
间所需的最小时脉。
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