MSI G4M-e43 User Manual page 134

adjust CPu FSB Frequency (MHz) (調整 CPu FSB 頻率)
本項可調整 CPu FSB 頻率。
adjusted CPu Frequency (MHz) (調整後 CPu 頻率)
本項顯示調整後 CPu 的頻率 (FSB x Ratio)。唯讀。
Memory-Z
按下 <enter> 鍵，即可進入子選單。
diMM/2 Memory SPd information （diMM/2 記憶體 SPd 訊息）
按下 <enter> 鍵，即可進入子選單。本子選單顯示已安裝記憶體的訊息。
advance dRaM Configuration (進階記憶體設定)
按下 <enter> 鍵，即可進入子選單。
dRaM timing Mode (記憶體時序模式)
選擇 dRaM 的時序，是否由 dRaM 模組上的 SPd eePRoM 裝置來控制。設
為 [auto by SPd] ，由 BioS 依 SPd 上的組態，來設定 dRaM 時序及其它相
關設定。設定為 [Manual] 時，則以手動方式更改 dRaM 時序及相關選項。
CaS Latency (CL)
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制行位址
信號 (CaS) 延遲，也就是於 SdRaM 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延遲
時間 (以時脈計)。
tRCd
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。在dRaM更新
時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RaS) 到行位址 (CaS) 之間的
過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制列位址
(RaS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充電，
更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態
隨機存取記憶體時。
tRaS
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RaS
由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRtP
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。讀取到預充電間
的時間差。
tRFC
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC
由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定在有效
寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入
緩衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。
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