Siemens SITRANS P500 with HART Compact Operating Instructions page 89

Certyfikaty i dopuszczenia
Dopuszczalna temperatura otoczenia
maks. temperatura powierzchni
Podłączenie
Wewnętrzna indukcyjność skuteczna
Wewnętrzna pojemność skuteczna
● Ochrona przed wybuchem pyłów dla
strefy 21/22
Oznaczenie
Podłączenie
● Klasa ochrony przeciwzapłonowej „n"
(strefa 2)
Oznaczenie
Podłączenie „nA, ic"
Podłączenie „nL"
Wewnętrzna indukcyjność skuteczna
Wewnętrzna pojemność skuteczna
● Ochrona przeciwwybuchowa na
terenie USA (wg FM)
● Certificate of Compliance
Oznaczenie (XP/DIP) lub (IS)
Dopuszczalna temperatura otoczenia
Entity parameters
Oznaczenie (NI/S)
Dopuszczalna temperatura otoczenia
NI/S parameters
● Ochrona przeciwwybuchowa na
terenie Kanady (wg
● Certificate of Compliance
Oznaczenie (XP/DIP)
SITRANS P500 z HART
A5E02307339-02, 09/2010
-40 ... +85°C (-40 ... +185°F)
120°C (248°F)
do certyfikowanego samobezpiecznego obwodu elektrycznego o wartościach
maksymalnych:
U = 30 V, I
i
P = 750 mW, R
i
L = 400 μH
i
C = 6 nF
i
BVS 09 ATEX E 027
do obwodu elektrycznego o wartościach roboczych:
U = DC 10,5 ... 45 V; P
m
PTB 09 ATEX 2004 X
U = 45 V DC
m
U = 45 V
i
L = 400 μH
i
C = 6 nF
i
No. 3033013
XP CL I, DIV 1, GP ABCD T4/T6;
DIP CL II, III, DIV 1, GP EFG T4/T6;
IS CL I, II, III, DIV 1, GP ABCDEFG T4
CL I, Zone 0, AEx ia IIC T4;
CL I, Zone 1, AEX ib IIC T4
T = T4: -40 ... +85°C (-40 ... +185°F)
a
T = T6: -40 ... +60°C (-40 ... +140°F)
a
Według „control drawing":
U = 30 V, I
m
P = 750 mW, L
i
NI CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6;
NI CL I, Zone 2, GP IIC T4/T6;
S CL II, III, GP FG T4/T6;
NI CL I, DIV 2, GP ABCD T4/T6, NIFW;
NI CL I, Zone 2, GP IIC T4/T6, NIFW
NI CL II, III, DIV 2, GP FG T4/T6, NIFW
T = T4: -40 ... +85°C (-40 ... +185°F)
a
T = T6: -40 ... +60°C (-40 ... +140°F)
a
Według „control drawing":
Um = 45 V, Li = 400 μH, C
CSA )
C US
No. 2280963
CL I, DIV 1, GP ABCD T4/T6;
CL II, DIV 1, GP EFG T4/T6
= 100 mA,
i
= 300 Ω
i
II 2 D Ex tD A21 IP68 T 120°C Ex ia D21
maks.
II 3 G Ex nA II T4/T6;
II 2/3 G Ex ib/nL IIC T4/T6;
II 2/3 G Ex ib/ic IIC T4/T6
= 100 mA,
m
= 400 μH, C
i i
= 6 nF
i
= 1,2 W
= 6 nF
87