MSI 970A-G43 Series Instructions Manual page 187

▶ DRAM Frequency
此项用来调整 DRAM 频率。
▶ Adjusted DRAM Frequency
此项用来显示调整后的 DRAM 频率。
▶ DRAM Tmng Mode
选择内存时序是否被内存模组的 SPD (Seral Presence Detect) EEPROM控制。设置
为 [Auto] 开启内存时序选项，BIOS 根据在 SPD 中的配置设置下面的" Advance DRAM
Configuraton"子菜单选项。选择 [Lnk] 或 [Unlnk] 允许用户配置内存时序和手动设置下
列相关 "Advance DRAM Configuraton" 子菜单。
▶ Advanced DRAM Configuraton
按<Enter>进入子菜单。
▶ Command Rate
此项用来控制 DRAM 命令速度。
▶ tCL
此项控制行位址信号（CAS）延迟，它决定SDRAM接收读取指令后，开始进行读取
前的延迟时间（在时钟周期内）。
▶ tRCD
此项设定列位址(RAS)到行位址(CAS)和信号之间的延迟时间。时序数越少，DRAM
的效能越好。
▶ tRP
此项控制列位址 (RAS)预充电的时序。若无足够时间，让列位址在 DRAM 更新之前
预充电，更新可能会不完全，而且 DRAM 可能漏失资料。此项仅适用于系统安装同
步动态随机存取内存时。
▶ tRAS
此设置决定了 RAS 由读取到写入内存所需时间。
▶ tRFC
此设置决定了 RFC 由读取到写入内存所需时间。
▶ tWR
最后一次写操作和下一次开始预充电操作之间的最小时间间隔，允许感觉线路恢复
核心数据。
▶ tWTR
最后一次有效写操作和下一次开始读操作之间的最小时间间隔。允许 I/O 在读命令开
始前超速感觉线路。
Sc-31