MSI 970A-G43 Series Instructions Manual page 151

▶ DRAM Frequency
本項用以調整 DRAM 頻率。
▶ Adjusted DRAM Frequency
本項顯示調整後的 DRAM 頻率。唯讀。
▶ DRAM Tmng Mode
選擇是否由在記憶體模組上的 SPD (Seral Presence Detect) EEPROM 來配置 DRAM
時序。設為 [Auto] 開啟記憶體時序以及以下 "Advanced DRAM Configuraton" 子選單由
SPD 設定上的 BIOS 控制。選擇 [Lnk] 或 [Unlnk] 可手動設定記憶體時序及 "Advanced
DRAM Configuraton" 的相關選項。
▶ Advanced DRAM Configuraton
按下 <Enter> 鍵以進入子選單。
▶ Command Rate
本項控制 DRAM command rate。
▶ tCL
本項控制行位址信號 (CAS) 延遲，也就是接收讀取指令後，開始讀取前的延遲時序
(以時脈計)。
▶ tRCD
本項設定列位址 (RAS) 到行位址 (CAS) 之間的轉換時序。時脈數越少，記憶體的效
能就越好。
▶ tRP
本項控制列位址 (RAS) 預充電的時脈週期。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體
更新之前預充電，記憶體可能無法保留資料。本項在系統已安裝同步記憶體時才能
適用。
▶ tRAS
本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
▶ tRFC
本項決定 RFC 由記憶體讀取及寫入記憶體所需時間。
▶ tWR
本項是寫入資料結束到預充電指令開始間的最短間距。本項透過感覺放大器 (sense
amplfier) 將資料回復。
▶ tWTR
本項是寫入資料結束到行讀取指令開始間的最短間距。讓輸出入閘道驅動感覺放大
器後，再開始讀取指令。
Tc-31