MSI P45 Neo3 Series Manual page 75

MEMORY-Z(메모리-Z)
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DIMM1~4 Memory SPD Information(DIMM1~4 메모리 SPD 정보)
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DIMM1~4 Memory SPD Information (DIMM1~4 메모리 SPD 정보)
이 항목은 메모리 타입, 최대 대역폭, 제조업체, 부품 번호, 직렬 번호, SDRAM 사
이클 시간, DRAM TCL, DRAM TRCD, DRAM TRP, DRAM TRAS, DRAM TRFC,
DRAM TWR, DRAM TWTR, DRAM TRRD 및 DRAM TRTP 등과 같은 현재의
DIMM 메모리 속도 정보의 상태를 실시간 표시합니다. 읽기 전용입니다.
CAS# Latency (CL) (CAS# 대기 시간(CL))
이렇게 되면 SDRAM이 읽기 명령을 받아서 이 명령을 시작하기 전에 (클록 사이
클의) 타이밍 지연을 결정하는 CAS 대기 시간을 제어합니다.
tRCD
DRAM이 재충전되면 행과 열이 따로 분리됩니다. 이 설정 항목을 사용하면 RAS(
열 주소)에서 CAS(행 주소)로의 변환 타이밍을 결정할 수 있습니다. 클록 사이클
이 짧을수록 DRAM 성능이 빨라집니다.
tRP
이 설정은 사전에 충전할 수 있는 RAS 사이클 수를 제어합니다. DRAM 재충전 이
전에 RAS가 충전 시간을 충분히 갖지 못할 경우, 충전이 불충분해서 DRAM이 데
이터를 보존하지 못할 수 있습니다. 이 항목은 시스템에 동기화 DRAM이 설치된
경우에만 적용됩니다.
tRAS
이 설정은 RAS가 메모리 셀로부터 읽거나 메모리 셀에 쓰는 데 걸리는 시간을 결
정합니다.
1N/2N Memory Timing (1N/2N 메모리 타이밍)
이 항목이 SDRAM 명령 대기 시간을 제어합니다. [1N]을 선택하면 SDRAM 신호 컨
트롤러가 1N (N=클록 사이클) 속도로 실행됩니다. [2N]를 선택하면 SDRAM 신호
컨트롤러가 2N 속도로 실행됩니다.
Advanced Memory Setting(고급 메모리 설정)
[Auto(자동)]으로 설정하면 BIOS가 고급 메모리 타이밍을 자동으로 결정하게 됩니다.
[Manual (수동)]으로 설정하면 고급 메모리 타이밍을 직접 설정할 수 있습니다.
Kr-31