MSI P45 Neo3 Series Manual page 109

MEMORY-Z
< E n t e r > キーを 押すと 、以下 の画 面が表 示され ます。
DIM M1~4 Memory SPD Infromation
< E n t e r > キーを 押すと 、以下 の画 面が表 示され ます。
DIM M1~4 Memory SPD Infromation
この項目は 現在D I M M メモリ速 度情報の 状態を表 示します 。( 例えば、メ
モ リ の タ イ プ 、 最 大 の バ ン ド 幅 、 製 作 、 部 品 番 号 、 シ リ ア ル 番 号 、
SDRAM周期、DRAM TCL、DRAM TRCD、DRAM TRP、DRAM TRAS、DRAM
TRFC、DRAM TW R、DRAM TW TR、DRAM TRRD及びDRAM TRTP)。読取
専 用 で す 。
CAS# Latency (CL)
S D R A M が読 み込 み コマ ン ドを 受 信し た後 読 み込 み を開 始 する ま での タイ
ミン グ 遅 延 で あ るC A S レイ テ ン シ ー を 設 定 し ま す｡
tRCD
D R A M を更新すると 、行も列も別 々にアドレ スされます。 この項目でR A S
か ら C A S ま で の 転 送 タ イ ミ ン グ を 決 定 し ま す 。 一 般 的 に ク ロ ッ ク サ イ ク
ル値 が小 さい ほどD R A M の動 作速 度 が上 が りま す。
tRP
D R A M がリフ レッシ ュに 必要と する電 荷を 蓄積す る時間 を手 動で設 定しま
す 。 R A S 信 号 の ク ロ ッ ク 数 が こ の 時 間 を 規 定 し ま す が 、 電 荷 を 蓄 積 す る
た め の 時 間 が 足 り な い 場 合 は D R A M の リ フ レ ッ シ ュ は 不 完 全 に な り 、
D R A M が デ ー タ を 保 持 で き な く な る こ と が あ り ま す 。 シ ス テ ム に 同 期
D R A M をイ ン ス ト ー ル し た 場 合 のみ こ の 項 目 が 利 用 で き ま す。
tRAS
こ の 設 定 は R A S が メ モ リ セ ル か ら 読 み 込 む 及 び メ モ リ セ ル へ 書 き 込 む こ
と に 掛 け る 時 間 を 決 定 し ま す 。
1N/2N M emory Timing
ここでS D R A M コマンド率をコントロールできます。 [ 1 N ] を選択すると、
S D R A M 信号コントローラーが1 N ( N = クロックサイクル) 単位で制御され、
[ 2N ] では2 N 単位で制御されます。
Advance Memory Setting
[Auto]に設定すると、[Advance memory timing]は自動的にBIO Sに決定され
ます。[ M a n u a l ] に設定 する と、 この 項目を 手動 で設 定で きま す。
TRFC
[Advance Memory Setting]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整
で き ま す 。 こ の 設 定 は メ モ リ セ ル か ら 読 み 込 む 及 び メ モ リ セ ル へ 書 き 込
む タ イ ミ ン グ を 決 定 し ま す 。
Jp-31