MSI P45D3Neo3 Series Manual page 74

DRAM Timing Mode
Die Einstellung [Auto] ermöglicht die automatische Erkennung des DRAM timings
durch das BIOS auf Basis der Einstellungen im SPD. Das Vorwählen [Manual]
eingestellt, können Sie den DRAM Timing anpassen.
CAS Latency (CL)
Lautet Configure DRAM Timing by SPD [Manual], können Sie hier die DRAM
Timing angeben. Hier wird die Verzögerung im Timing (in Taktzyklen)eingestellt,
bevor das SDRAM einen Lesebefehl nach dessen Erhält auszuführen beginnt.
tRCD
Lautet DRAM Timing Mode [Manual], können Sie hier die DRAM Timing angeben.
W enn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat adressiert.
Gestattet es, die Anzahl der Zyklen der Verzogerung im Timing einzustellen, die
zwischen den CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die verwendet werden,
wenn der DRAM beschr ieben, ausgelesen oder aufgef rischt wird. Eine hohe
G es c h wi n d i g k e i t f u h r t z u h oh er e r L ei s t u n g , wäh r e n d l an g s am er e
Geschwindigkeiten einen stabileren Betrieb bieten.
tRP
Lautet DRAM Timing Mode [Manual], können Sie hier die DRAM Timing angeben.
Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadressierungssignal (Row
Address Strobe - RAS) für eine Vorladung bekommt. W ird dem RAS bis zur
Auffrischung des DRAM nicht genug Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben,
kann der Refresh unvollstandig ausfallen und das DRAM Daten verlieren. Dieser
Menüpunkt ist nur relevant, wenn synchroner DRAM verwendet wird.
tRAS
W enn DRAM Timing M ode auf [Manual] einstellt, stellt diese Einstellung das
Nehmen der Zeit RAS fest, um von zu lesen und zu einer Speicherzelle zu
schreiben.
TRTP
W enn DRAM Timing Mode auf [Manual] einstellt, legt die Pausenzeit zwischen
ein Lesen Befehl und einem Vorladung Befehl.
TRFC
W enn DRAM Timing Mode auf [Manual] einstellt, können Sie hier die DRAM
Timing angeben. Die Reihe Taktzyklen Option spezifiziert die Mindestdauer der
Taktgeberzyklen. Die Speicherreihe einen vollen Zyklus Zeit braucht, von der
Reihe Aktivierung bis zu Precharge der aktiven Reihe fest.
TWR
W enn DRAM Timing Mode auf [Manual] einstellt, the field is adjustable. Unter
dieser Optionlegen Sie die W R-Verzögerung (in den Taktgeberzyklen) fest. Dieses
Verzögerung muss garantieren, dass Daten in den schreibenpuffern werden
können zu den Speicherzellen geschrieben, bevor Vor-Aufladung auftritt.
TRRD
Lautet die Einstellung unter DRAM Timing Mode [Manual], können Sie hier die
DRAM Timing angeben. Diese Option legt die Aktiv-zu-Aktive Verzögerung von
den unterschiedlichen angegrenzter Teil des Speicher fest.
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