MSI 970A-G45 series User Manual page 70

MS-7693 Mainboard
▶ DRAM Frequency
Hier können Sie die Speicherfrequenz einstellen. Mit der Einstellung [Auto], erkennt das
System die DRAM-Taktfrequenz automatisch.
▶ Adjusted DRAM Frequency
Gibt der verstellt Frequenz des DDR Speicher. Nur Anzeige.
▶ DRAM Timing Mode
Dieses kann alles erweiterten DRAM Timing automatisch auffangen.
▶ Advanced DRAM Configuration
Drücken Sie die Eingabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen.
▶ Command Rate
Legt die DRAM Kommandorate fest.
▶ tCL
Hier wird die Verzögerung im Timing (in Taktzyklen) eingestellt, bevor das SDRAM
einen Lesebefehl nach dessen Erhält auszuführen beginnt.
▶ tRCD
Wenn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat adressiert. Gestattet
es, die Anzahl der Zyklen der Verzogerung im Timing einzustellen, die zwischen den
CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die verwendet werden, wenn der DRAM bes-
chr ieben, ausgelesen oder aufgef rischt wird. Eine hohe Geschwindigkeit fuhrt zu
hoherer Leistung, während langsamere Geschwindigkeiten einen stabileren Betrieb
bieten.
▶ tRP
Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadress Strobe - RAS) für eine
Vorladung bekommt. Wird dem RAS bis zur Auffrischung des DRAM nicht genug
Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben, kann der Refresh unvollstandig ausfallen
und das DRAM Daten verlieren. Dieser Menüpunkt ist nur relevant, wenn synchron-
er DRAM verwendet wird.
▶ tRAS
Diese Einstellung stellt das Nehmen der Zeit RAS fest, um von zu lesen und zu einer
Speicherzelle zu schreiben.
▶ tRTP
Legt die Pausenzeit zwischen ein Lesen Befehl und einem Vorladung Befehl.
▶ tRC
Die Reihe Taktzyklen Option spezifiziert die Mindestdauer der Taktgeberzyklen. Die
Speicherreihe einen vollen Zyklus Zeit braucht, von der Reihe Aktivierung bis zu
Precharge der aktiven Reihe fest.
▶ tWR
Mindestausenzeit zwischen Ende des geschreibt Datenstoß und den Anfang eines
Vorladung Befehls. Der Gefühlverstärker kann Daten zu den Zellen zurückstellen.
▶ tRRD
Diese Option legt die Aktiv-zu-Aktive Verzögerung von den unterschiedlichen an-
gegrenzter Teil des Speicher fest.
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