MSI 990XA-GD55 series User Manual page 166

MS-7640 主板
▶ DRAM Frequency
此项允许您调整 DRAM 频率。设置 [Auto]，系统将自动检测 DRAM 频率。
▶ Adjusted DRAM Frequency
此项显示调整后的内存频率。只读。
▶ DRAM Tmng Mode
此区域可以自动检测所有内存时序。
▶ Advanced DRAM Configuraton
按<Enter>键进入子菜单。
▶ Command Rate
此项用来控制 DRAM 命令速度。
▶ tCL
此项控制行位址信号（CAS）延迟，它决定 SDRAM 接收读取指令后，开始进行读
取前的延迟时间（在时钟周期内）。
▶ tRCD
在DRAM重置时，列和栏位置是分开处理的。此项设定列位址(RAS)到行位址
(CAS)和信号之间的延迟时间。时序数越少，DRAM 的效能越好。
▶ tRP
此项控制列位址 (RAS)预充电的时序。若无足够时间，让列位址在 DRAM 更新之前
预充电，更新可能会不完全，而且 DRAM 可能漏失资料。此项仅适用于系统安装同
步动态随机存取内存时。
▶ tRAS
此设置决定了 RAS 由读取到写入内存所需时间。
▶ tRTP
此项指定读指令和预充电之间的时间间隔。
▶ tRC
行周期决定了一个内存行用来完成一个完整循环（从行激活到活跃行的预充电）的
最小时钟周期数。
▶ tWR
最后一次写操作和下一次开始预充电操作之间的最小时间间隔，允许感觉线路恢复
核心数据。
▶ tRRD
此项指定不同内存块actve-to-actve的延迟。
▶ tWTR
最后一次有效写操作和下一次开始读操作之间的最小时间间隔。允许 I/O 在读命令开
始前超速感觉线路。
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