MSI 990XA-GD55 series User Manual page 102

MS-7640 マザーボード
▶ DRAM Frequency
DRAM周波数を調整します。[Auto]に設定すると、システムは自動的にDRAM周波数
を検知します。
▶ Adjusted DRAM Frequency
調整したメモリ周波数を表示します。読取専用です。
▶ DRAM Tmng Mode
この項目は自動的にDRAMタイミングを検知できます。
▶ Advanced DRAM Configuraton
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。
▶ Command Rate
DRAMコマンド率をコントロールします。
▶ tCL
SDRAMが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでのタイミング遅
延であるCASレイテンシーを設定します。
▶ tRCD
RAS(行アドレス信号)とCAS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定します。一
般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がります。
▶ tRP
DRAMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定します。
RAS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するための時間が
足りない場合はDRAMのリフレッシュは不完全になり、DRAMがデータを保持で
きなくなることがあります。システムに同期DRAMをインストールした場合のみ
この項目が利用できます。
▶ tRAS
RAS(行アドレス信号)が発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定しま
す。
▶ tRTP
この設定はデータ読み込みとプリチャージ命令の時間間隔をコントロールしま
す。
▶ tRC
RAS(行アドレス信号)の読み込みからプリチャージが完了するまでの１サイクルの
時間です。通常はTRASとTRPの合計時間を入力します。
▶ tWR
プリチャージが掛かる前のデータの書込みに要する時間を手動で設定するのが
tWRです。この設定ではプリチャージが掛かる前に、書込みバッファのデータが
メモリセルに完全に書き込まれるように設定する必要があります。
▶ tRRD
異なるメモリバンク間でデータアクセスを行うための遅延時間を手動で設定しま
す。
▶ tWTR
同じメモリバンク内で処理される書き込み命令から読み取り命令までの間隔時間
を手動で設定します。読み取り命令の始める前にI/O gatngがセンス増幅器を増速
駆動できます。
Jp-28