MSI H61I-E35 (B3) User Manual page 90

adjusted dRaM Frequency
此项显示调整后的内存频率。只读。
dRaM timing Mode
选择内存时序是否被内存模组的 SPd (Serial Presence detect) eePRoM控制。设
置为 [auto] 开启内存时序选项，BioS 根据在 SPd 中的配置设置下面的" advance
dRaM Configuration"子菜单选项。选择 [Link] 或 [unlink] 允许用户配置内存时序
和手动设置下列相关 "advance dRaM Configuration" 子菜单。
advanced dRaM Configuration
按<enter>进入子菜单。在这些字菜单中可以调整高级内存时序。
Command Rate
此项用来控制 dRaM 命令速度。
tCL
此项控制行位址信号（CaS）延迟，它决定 SdRaM 接收读取指令后，开始进
行读取前的延迟时间（在时钟周期内）。
tRCd
在dRaM重置时，列和栏位置是分开处理的。此项设定列位址(RaS)到行位址
(CaS)和信号之间的延迟时间。时序数越少，dRaM 的效能越好。
tRP
此项控制列位址 (RaS)预充电的时序。若无足够时间，让列位址在 dRaM 更新
之前预充电，更新可能会不完全，而且 dRaM 可能漏失资料。此项仅适用于系
统安装同步动态随机存取内存时。
tRaS
此设置决定了 RaS 由读取到写入内存所需时间。
tRFC
此设置决定了 RFC 由读取到写入内存所需时间。
tWR
最后一次写操作和下一次开始预充电操作之间的最小时间间隔，允许感觉线路
恢复核心数据。
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