MSI G41M-P33 Combo User Manual page 114

Ce Support（增强停机状态支持）
启用此项可在CPu空闲时读取CPu电源能耗。不是所有的处理器都支持增强停机
状态（Ce）。
adjust CPu Base Frequency (mHz)（调整 CPu 基础频率，单位mHz)
此此项用来调整CPu基础频率，单位mHz。您可以通过调整此项值对CPu进行超
频。请注意超频行为不受保护。
adjusted CPu Frequency (mHz) （调整后的 CPu 频率，单位mHz）
此项显示调整后的 CPu 频率。只读。
advance dRam Configuration （高级dRam配置）
按<enter>键进入子菜单。
dRam timing mode （dRam 时序模式）
此项用于选择是否由内存模组上的 SPd（Serial Presence detect） eePRom
控制内存时序。设置此项为[auto By SPd]，BioS将根据 SPd 中的配置自动设
置内存时序和下列相关选项。设置此项为[manual]，用户可以手动配置内存时
序和下列相关选项。
CaS Latency (CL)
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项控制列地址选通
（CaS）的延迟，即在SdRam接收读指令后，开始进行读取前的延迟时间（以
时钟周期为单位）。
tRCd
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。在刷新dRam时，行和
列是分开寻址的。此项允许你设置行地址选通（RaS）到列地址选通（CaS）
之间的过渡时序。时钟周期数越少，dRam的性能越好。
tRP
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项可以设置行地址
选通（RaS）前被允许预充电的时钟周期数。若在dRam刷新前，无足够时间
让行地址选通积累足够电荷，刷新可能会不完全，dRam可能丢失资料。此项
仅适用于系统安装同步动态随机存取内存时。
tRaS
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项设置读或写一个
内存单元时 RaS 所需时间。
tRtP
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项设置读指令和预
充电指令之间的时间间隔。
tRFC
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项设置读或写一个
内存单元时RFC所需时间。
tWR
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项用来设置一个活
跃内存模块在完成一个有效写操作之后，在预充电之前必须的总延迟（以时钟
周期为单位）。这个延迟用来保证在预充电前写缓冲中的数据被完整写入内存
单元中。
tRRd
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