MSI Z68A-G43 Series Manual page 110

▶ EIST
L'Enhanced Intel SpeedStep Technologe vous permet de configurer le nveau de
performance du mcroprocesseur s l'ordnateur fonctonne sur battere ou sur secteur.
Ce menu apparaîtra s vous nstallez un CPU supportant la technologe speedstep.
▶ Intel Turbo Boost
Actve ou désactve Intel Turbo Boost, permettant un surcrot de performance CPU
(lorsque l'applcaton exge l'état de la plus haute performance du processeur).
▶ OC Gene Button Operaton
Ce domane sert à actver/ désactver la foncton OC Gene.
▶ DRAM Frequency
Ce menu vous permet d'ajuster la fréquence DRAM. Veullez noter que le comporte-
ment d'overclockng n'est pas garant.
▶ Adjusted DRAM Frequency
Il montre la fréquence ajustée de la DRAM. Lecture unquement.
▶ DRAM Tmng Mode
Le type de tmng DRAM est contrôlé par l'EEPROM SPD (Seral Presence Detect) du
module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sousmenu suvant "Ad-
vance DRAM Configuraton" est détermné par le BIOS en foncton de la configuraton
du SPD. La mse en [Lnk] ou [Unlnk] vous permet de configurer le tmngs DRAM et le
sous-menu "Advance DRAM Configuraton" manuellement.
▶ Advanced DRAM Configuraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
▶ Command Rate
Ce réglage contrôle le taux d'ordre DRAM.
▶ tCL
Il contrôle la latence CAS, qu détermne le retard du tmng (en cycle d'horloge)
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l'avor reçu.
▶ tRCD
Cette foncton vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Plus basse est la fréquence de
l'horloge, plus rapde est la performance de la DRAM.
▶ tRP
Cette foncton contrôle le nombre de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS)
est autorsé à pré-charger. S'l n'y a pas assez de temps pour que le RAS accumule
sa charge avant le rafraîchssement de la DRAM, le rafraîchssement peut être n-
complet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cette foncton s'applque
seulement quand le système utlse de la DRAM synchrone.
▶ tRAS
L'artcle détermne le temps que le RAS prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
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