MSI e GF65M-P4 User Manual page 126

dRaM advance Control（内存高级控制）
此项可以自动侦测高级内存时序。如果您设置此项为[dCt
[Both]，一些选项将会出现并且可以设置。
t/2t Memory timing （t/2t 内存时序）
当 dRaM timing Mode 设置为 [Manual]，此项可调整。此项控制内存命令速
率。选择[t]使内存信号控制器运行在t速率下(t=时钟周期 )。选择[2t]使内存
信号控制器运行在2t速率下。
dCt unganged Mode（双通道非组合模式）
此选项用来把两个64位dCt整合成一个28位dCt界面。
Bank interleaving（内存块交错技术）
内存块交错技术(Bank interleaving)选项是一个提高内存超频性能的重要参数。
它允许系统同时访问多个内存块。
Power down enable（节能模式启用）
这是一个内存节能技术。当系统在一段时间内没有访问内存时，它将自动地减
少内存供电。
MemClk tristate C/atLVid（C/atLVid 下内存时钟三态）
此项允许您在C和atLVid下启用/禁用内存时钟三态。
adjusted dRaM Frequency (MHz)（调整后的内存频率，单位MHz）
此项显示调整后的内存频率。只读。
Ht Link Control（Ht 连接控制）
按 <enter> 键进入子菜单。
Ht Link Speed auto（自动检测 Ht Link 速度）
设置为 [enabled]，系统将自动检测 Ht link 速度。
Ht Link Speed（Ht 连接速度）
此项允许您设置 Hyper-transport 连接速度。
adjust PCi-e Frequency (MHz)（调整 PCi-e 频率，单位MHz）
此项允许您选择 PCie 频率，单位MHz。
auto disable PCi/PCi-e Frequency（自动关闭 PCi/PCi-e 频率）
设置此项为[enabled]，系统将从空的 PCi 和 PCi-e 插槽移除(关闭)时钟以最小电
磁干扰 (eMi)。
CPu Vdd Voltage (V), CPu-nB Vdd Voltage (V), nB Voltage (V), Ht Link
Voltage (V)
这些选项用来调整CPu，内存和芯片电压。
Spread Spectrum（频展）
当主板上的时钟震荡发生器工作时，脉冲的极值（尖峰）会产生eMi（电磁干
扰）。频率范围设定功能可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰，所以脉冲波的
尖峰会衰减为较为平滑的曲线。如果您没有遇到电磁干扰问题，将此项设定为
[disabled]，这样可以优化系统的性能表现和稳定性。但是如果您被电磁干扰问题
困扰请开启此项，这样可以减少电磁干扰。注意，如果您超频使用，必须将此项
禁用。因为即使是微小的峰值漂移（抖动）也会引入时钟速度的短暂突发。这样
会导致您超频的处理器锁死。
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0]，[dCt ] 或