MSI B75A-E33 Series Manual page 78

tCL
Il contrôle la latence CAS, qui détermine le retard du timing (en cycle d'horloge)
avant que le SdrAM commence un ordre de lecture après l'avoir reçu.
trCd
Cette fonction vous permet de déterminer le timing de la transition de rAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). plus basse est la fréquence
de l'horloge, plus rapide est la performance de la drAM.
trp
Cette fonction contrôle le nombre de cycles pour que le row Address Strobe
(rAS) est autorisé à pré-charger. S'il n'y a pas assez de temps pour que le rAS
accumule sa charge avant le rafraîchissement de la drAM, le rafraîchissement
peut être incomplet et le drAM peut échouer à retirer les données. Cette fonc-
tion s'applique seulement quand le système utilise de la drAM synchrone.
trAS
L'article détermine le temps que le rAS prend pour lire ou écrire une cellule
de mémoire.
trFC
Cette fonction permet de déterminer le temps que le rFC prend pour lire ou
écrire une cellule demémoire.
tWr
L'intervalle de temps minimum entre la fin d'apparition d'écriture de données et
le début de l'ordre de précharge. permet aux amplificateurs sensitifs de restau-
rer les données aux cellules.
tWtr
L'intervalle de temps minimum entre la fin d'apparition d'écriture de données et
le début de l'ordre de pré-charge. permet au pont I/o de faire sur-fonctionner
l'amplificateur sensitif avant qu'un ordre de lecture commence.
trrd
Spécifie le délai actif-à-actif des différentes banques.
trtp
L'intervalle de temps entre un ordre de lecture et un ordre de pré-charge.
tFAW
Ce menu sert à régler le délai FAW (délai de quatre fenêtres activées).
tWCL
Ce menu sert à régler le timing tWCL (Write CAS Latency).
tCkE
Ce menu sert à régler pulse Width pour le module drAM.
trtL
Ce menu sert à régler round trip Latency.
Advanced timing Configuration
Appuyez <Enter> pour entrer dans le sous-menu. Vous pouvez régler le timing
de mémoire avancée.
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