MS-7640 主機板
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DRAM Frequency
本項調整記憶體頻率。設為自動 [Auto],系統會自動偵測記憶體頻率。
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Adjusted DRAM Frequency
本項顯示調整後記憶體頻率。唯讀。
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DRAM Tmng Mode
本欄位可自動偵測所有記憶體時序。
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Advanced DRAM Configuraton
按下 <Enter> 鍵以進入子選單。
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Command Rate
本設定�� DRAM command rate。
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tCL
本項��行位址信號 (CAS) 延遲,也就是� SDRAM 接收讀取指令後,開�進行讀
取前的延遲時間 (以時脈計)。
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tRCD
在DRAM更�時,列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RAS) 到行位址
(CAS) 之間的過渡時間。時脈數越少,記憶體的效能越好。
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tRP
本項��列位址(RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間,讓列位址在記憶體更�之
前預充電,更�可能會不完全,且記憶體可能漏失資料。本項僅適用�系統安裝同
步動態隨機存取記憶體時。
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tRAS
本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
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tRTP
本項設定讀取到預充電間的間隔時間。
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tRC
本項是記憶體完成列活�,到預充電整個週期所需的�小時脈。
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tWR
本項是寫入資料結束到預充電指令開�間的�短間距。本項透過感覺放�器 (sense
amplfier) 回復資料。
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tRRD
本項設定不同記憶體分組之間 (actve-to-actve) 的延遲時脈。
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tWTR
本項是寫入資料脈衝結束到列讀取指令開�間的�短時間。輸出入閘道會先驅動感
覺放�器,再開�讀取指令。
Tc-28
。設為自動 [Auto],系統會自動偵測記憶體頻率。
設為自動 [Auto],系統會自動偵測記憶體頻率。
,系統會自動偵測記憶體頻率。
系統會自動偵測記憶體頻率。 。