MSI 990FXA-GD65 Series Manual page 102

MS-7640 マザーボード
▶ DRAM Frequency
DRAM周波数�調整し�す。[Auto]に設定すると�システム�自動的にDRAM周波数
�検知し�す。
▶ Adjusted DRAM Frequency
調整したメモリ周波数�表示し�す。読取専用�す。
▶ DRAM Tmng Mode
この項目�自動的にDRAMタイミング�検知�き�す。
▶ Advanced DRAM Configuraton
<Enter>�ー�押すと�サブメニューが表示�れ�す。
▶ Command Rate
DRAMコマンド率�コントロールし�す。
▶ tCL
SDRAMが読み込みコマンド�受信した後読み込み�開�する��のタイミング遅
延�あるCASレイテンシー�設定し�す。
▶ tRCD
RAS(行アドレス信号)とCAS(列アドレス信号)の信号間隔�手動�設定し�す。一
般的にクロックサイクル値が小��ほどDRAMの動作速度が上がり�す。
▶ tRP
DRAMがリフレッシュに必要とする電荷�蓄積する時間�手動�設定し�す。
RAS信号のクロック数がこの時間�規定し�すが�電荷�蓄積するための時間が
足りな�場合�DRAMのリフレッシュ�不完全になり�DRAMがデータ�保持�
きな�なることがあり�す。システムに同期DRAM�インストールした場合のみ
この項目が利用�き�す。
▶ tRAS
RAS(行アドレス信号)が発信し�からデータが読み出�れる��の時間�決定し�
す。
▶ tRTP
この設定�データ読み込みとプリチャージ命令の時間間隔�コントロールし�
す。
▶ tRC
RAS(行アドレス信号)の読み込みからプリチャージが完了する��の１サイクルの
時間�す。通常�TRASとTRPの合計時間�入力し�す。
▶ tWR
プリチャージが掛かる前のデータの書込みに要する時間�手動�設定するのが
tWR�す。この設定��プリチャージが掛かる前に�書込み�ッファのデータが
メモリセルに完全に書き込�れる�うに設定する必要があり�す。
▶ tRRD
異なるメモリ�ンク間�データアクセス�行うための遅延時間�手動�設定し�
す。
▶ tWTR
同じメモリ�ンク内�処理�れる書き込み命令から読み取り命令��の間隔時間
�手動�設定し�す。読み取り命令の�める前にI/O gatngがセンス��器��速
駆動�き�す。
Jp-28
I/O gatngがセンス��器��速