MSI G52-75221X5 Manual page 216

MS-7522主板
Advance DRAM Configuration（高级DRAM配置）
按<Enter>进入子菜单并如下屏幕所示:
1N/2N Memory Timing（1N/2N 内存时钟）
此项控制SDRAM com mand rate, 选择 [1N] 使SDRAM信号控制器运行在 1N(N=时钟
周期) rate。 选择 [2N] 使SDRAM信号控制器运行在 2N rate。
CAS# Latency (CL)（CAS 延迟）
此项控制行位址信号（CAS）延迟，即在 SDRAM 接收读取指令后，开始进行读取前
的延迟时间（在时钟周期内）。
tRCD
在DRAM 重置时，列和栏位置是分开处理的。此项设定列位址 (RAS)到行位址(CAS)和
信号之间的延迟时间。时序数越少，DRAM 的效能越好。
tRP
此项控制列位址 (RAS)预充电的时序。若无足够时间，让列位址在 DRAM 更新之前预
充电，更新可能会不完全，而且 DRA M 可能漏失资料。此项仅适用于系统安装同步动
态随机存取内存时。
tRAS
此项指定 RAS 由读取到写入内存所需时间。
Advanced Memory Setting（高级内存设定）
设定为 [Auto] 通过 BIOS 自动控制高级自动内存时钟周期。设定为 [Manual] 允许您
设定高级内存时钟。
Extreme Memory Profile（X.M.P技术）
此项用于打开/关闭 Extreme Memory Profile (X.M.P.) 选项。欲知详细信息请参考 Intel 官
方网站。
Memory Ratio（内存比率）
此项允许您设定内存倍频。
Adjusted DRAM Frequency (MHz)（调整后的内存频率，单位MHZ）
显示调整后的 DDR内存频率。只读。
Sc-38