MSI G52-75221X5 Manual page 174

MS-7 5 2 2 主機板
Advance DRAM Configuration（進階 DRAM 設定）
按下 <E nte r> 鍵，即可進入下頁子選單。
1N/2N Memory Timing（1N/2N 記憶體時序）
本項控制 SD RA M 指令速率。若選 [1 N]，則 SD R A M 信號控制器會以一
週期 速率 執行( N 表時序 週期) ，選 [ 2 N ] ，則以 二週 期執 行。
CAS# Latency（CL）
本項控制行位址信號( C A S ) 延遲，也就是在 S D R A M 接收指令後，開始進
行讀取前的延遲時間( 以時脈週期計) 。
tRCD
在 D R A M 重置時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 ( R A S ) 到
行位址 ( C A S ) 和訊號之間的延遲時間。時序數越少，D R A M 的效能越
好 。
tRP
本項控制 列位 址( R A S ) 預充 電的 時 序。 若 無足 夠 時間 ， 讓列 位 址在 D R A M
更新 之 前 預充 電 ， 更新可 能 會 不完 全 ， 而 且 D R A M 可能 漏 失資 料 。本 項
僅 適 用 於 系 統 安 裝 同 步 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 時 。
tRAS
本項指 定 R A S 由讀 取到 寫入 記憶 體所 需時 間。
Advanced Memory Setting（進階記憶體設定）
設 [A uto] 時，自動由 BIOS 設定記憶體時序。設定為 [Ma nua l] 時，您可
以 手 動 方 式 設 定 本 欄 位 。
Extreme Memory Profile（Intel
本項開啟或關閉 Intel
了 解 更 多 細 節 。
Memory Ra tio（記憶體倍頻)
本項可設定記憶體 mul tipl i er。
Adjusted DRAM Frequency (MHz)（調整後記憶體頻率）
本 項 顯 示 調 整 後 記 憶 體 頻 率 。 唯 讀 。
Tc-38
® XMP)
Extreme Memory Profile (X.M.P)。請參考 Intel
® ®
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