MSI H55M-E33 series User Manual page 114

Manboard
Table of Contents

Advertisement

Available languages

Available languages

  • ENGLISH, page 1
Carte mère MS-7636
Adjusted CPU Frequency (MHz)
Il montre la fréquence ajustée du CPU (Horloge de Base x Rato). Lecture unque-
ment.
Auto OverClock Technology
Cet artcle sert à actver/ désactver la foncton Auto OverClock.
Memory-Z
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
DIMM1~4 Memory SPD Informaton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu. Le sous-menu affiche les n-
formatons de la mémore nstallée.
Current DRAM Channel1~4 Tmng
Il montre le DRAM Tmng nstallé. Lecture unquement.
DRAM Tmng Mode
Le chox de décson s le DRAM tmng est contrôlé par le SPD (Seral Presence Detect)
EEPROM sur le module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sous-
menu "Advance DRAM Configuraton" suvant d'être détermné par le BIOS basé sur
la configuraton sur le SPD. La mse en [Manual] vous permet de configurer le DRAM
tmngs et le sous-menu "Advance DRAM Configuraton" suvant manuellement.
Advance DRAM Configuraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
CH1/ CH2 1T/2T Memory Tmng
Cet artcle contrôle le taux d'ordre. La sélecton en [1N] fat fonctonner en taux de 1
1N (N=cycles d'horloge) au contrôleur du sgnaux du SDRAM. La sélecton en [2N]
fat fonctonner en taux de 2N au contrôleur du sgnaux du SDRAM.
CH1/ CH2 CAS Latency (CL)
Il contrôle le latence CAS, qu détermne le retard du tmng (en cycle d'horloge)
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l'avor reçu.
CH1/ CH2 tRCD
Quand le DRAM est rafraîch, les rangs et les colonnes sont tous adressés séparé-
ment. Cet artcle vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Mons fonctonne l'horloge, plus
vte est la performance de DRAM.
CH1/ CH2 tRP
Cet artcle contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) sot
permt à précharger. S'l n'y a pas assez de temps pour que le RAS accumule son
charge avant le refraîchssement de to DRAM, le refraîchssement peut être ncom-
plet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cet artcle applque seulement
quand le DRAM synchrone est nstallé dans le système.
CH1/ CH2 tRAS
L'artcle détermne le temps que le RAS prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
CH1/ CH2 tRFC
Ce réglage détermne le temps que RFC prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
Fr-32

Hide quick links:

Advertisement

Table of Contents
loading

This manual is also suitable for:

H55m-p31 series

Table of Contents