MSI G4m-P25 User Manual page 117

tRFC
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项设置读或写一个
内存单元时RFC所需时间。
tWR
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项用来设置一个活
跃内存模块在完成一个有效写操作之后，在预充电之前必须的总延迟（以时钟
周期为单位）。这个延迟用来保证在预充电前写缓冲中的数据被完整写入内存
单元中。
tRRd
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项设置不同内存模
块间active-to-active 的延迟。
tWtR
当dRam timing mode设置为[manual]时，此项可调整。此项设置从写数据到
读命令之间的延迟时序。即对ddR设备的同一内存模块的最后一次有效写操作
到下一次读操作之间的必须延迟的最小的时钟周期数。
FSB/dRam Ratio （FSB/dRam 倍频）
此项允许您调整FSB到内存的倍频。
adjusted dRam Frequency (mHz) （调整后的内存频率，单位mHz）
此项显示调整后的内存频率。只读。
adjust PCi-e Frequency (mHz) （调整 PCi-e 频率，单位mHz）
此项允许您调整 PCi-e 的频率。
auto disable dRam/PCi Frequency （自动关闭 dRam/PCi 频率）
设置此项为[enabled]，系统将从空的PCi和dRam插槽上移除（关闭）时钟以使电
磁干扰（emi）最小。
dRam Voltage (V), nB Voltage (V), CPu Vtt (V), CPu Voltage (V)
这些项用来调整CPu，内存和芯片组电压。
Spread Spectrum （频展）
当主板上的时钟发生器工作时，脉冲的极值（尖峰）会产生emi（电磁干扰）。频
展功能通过调制脉冲波使脉冲波的极值衰减为较为平滑的曲线，以此来降低脉冲
波极值时的电磁干扰。如果您没有遇到电磁干扰问题，请将此项设置为disabled，
这样可以优化系统的性能，提高稳定性。但是如果您被电磁干扰问题困扰，请将
此项设定为enabled，这样可以减少电磁干扰。请注意，如果您超频使用主板，必
须将此项禁用。因为即使是微小的峰值漂移（抖动）也会引起时钟速度的短暂突
发，这样会导致您超频的处理器锁死。
注意
如果您没有任何电磁干扰 （ emi）方面的问题，要使系统获得最佳的稳定性和性
*
能，请设置此项为[disabled]。但是如果您被电磁干扰 （ emi）问题所困扰，请
选择Spread Spectrum（频展）的值，以减少电磁干扰 （ emi）。
* Spread Spectrum（频展）的值越高，emi会越小，系统的稳定性也相应降低。
要为Spread Spectrum（频展）设定一个最合适的值，请参考emi规章。
* 当您超频时，请关闭Spread Spectrum（频展）。因为即使一个很微小的峰值漂
移也会引起时钟 速度 的短暂突发，这样会导致您超频的处理器锁死。
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