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-9. Autres amplificateurs
\
\
\
Description du circuit
®
Lorsqu'on
observe
les
niveaux
du
signal
on
VeE-!B
caractéristiques de Q404
basse température
Ip tt
ee
Ne
output amp
7
—
4
\
Ras
SRal4
/
R42 18k 70 RAL
18k
We
Ic409
Teh L ca
it
Top
OB position
haute température
1 O.2Me. »
A oaeienr
gain obtenu lorsqu'une
niveau
contre-réaction négative
(dB)
ee eeee Oe OA0e
de 20 dB est appliquée — Note:
0
ee
ea.
}
"7
~6.5dB
Ft-~
4
|
;
1
:
émetteur
de
r
grille de Q401 ; f
Q417 et Q413 J
-20
'
~20d8
;
NFB 770B
(0,21 Ve-c)
dH
-
toy
| gain en boucle ouverte
i
(97 dB)
{
I
gain de tension
i
de Q407 (77 dB}
-60
t
i
t
gain.de-tension
jde Q405 (7 dB)
~Fid,
~-80
4
Z
.
collecteur de
gain de Q401 -
—,
—84 dB au drain
O405R
(13¢B)
my
de O401£
Bp
iP
ee
J
me
—97 dB
& la grille de Q401
(sans contre-réaction
négative)
Fig. 12
caractéristiques de transistor
:
a effet de champ de type dépression
!D
—EG
O
+EG
(EG = ES)
Fig:-13
et PNP,
ATTENTION
10. Petites résistances
oe
Sc sarmog
152 }
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