MSI K9A2GM V2 Series Manual page 115

Advance DRAM Configuration -> TWR
[DRAM Timing]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できます。この項目は有効な書き
込み操作が完了した後の遅延時間を決定します。実行可能なバンクに対してプリチャージする前
にバッファデータをメモリセルに書き込むために、この遅延時間が必要です。
Advance DRAM Configuration -> TRRD
[DRAM Timing]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できます。異なるメモリバンクの
間のデータアクセス遅延時間を手動で設定できます。
Advance DRAM Configuration -> TWTR
[DRAM Timing]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できます。この項目は[Read
Command Delay]メモリタイミングを設定します。同一内部バンクでのデータ読み書きクロックサイ
クルを最小値に設定することでパフォーマンスの向上が期待できますが、許容範囲を超えた場合
は動作不安定の原因になります。
Advance DRAM Configuration -> 1T/2T Memory Timing
[DRAM Timing]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できます。ここで SDRAM コマン
ド率を設定します。[1T]を選択すると SDRAM 信号コントローラーが 1T 設定、 [2T]を選択すると
2T 設定で動作します。
Advance DRAM Configuration -> SoftWare Memory Hole
[DRAM Timing]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できます。[SoftWare Memory
Hole]を有効/無効にします。
FSB/DRAM Ratio
この項目で FSB/DRAM 倍率を設定します。
Adjusted DRAM Frequency (MHz)
調整した DDR メモリ周波数を表示します。読取専用です。
Adjust PCI-E Frequency (MHz)
PCI-E 周波数を設定します。(MHz)
Auto Disable DRAM/PCI Frequency
[Enabled]に設定すると、システムは DIMM 回路と PCI 回路から使用していないクロック信号を除
去し、電磁妨害ノイズ(EMI)を最小化します。
DRAM Voltage (V)
この項目でメモリ電圧を調整します。
Spread Spectrum
クロックジェネレータがクロック信号を生成する際に、スパイクと呼ばれる電磁妨害ノイズ(EMI)も
同時に生成されます。通常使用時は Disabled に設定することでシステムの安定性と性能を最適
化できますが、万が一電波妨害などが発生した場合は Spread Spectrum 機能を Enabled に設
定して障害を軽減させることができます。但し、オーバークロック動作実験を行う際は、必ず
Disabled に設定し、できるだけクロック信号の精度を高めた方が良いケースが多いです。
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