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HITACHI HA-330
TECHNISCHE OATEN
Ausgangsleistung
Sinusleistung (RMS)
(beide Kaniile)
Leistungsbandbreite
Frequenzgang (AUX, TAPE)
Klirrfaktor
40 W/K. + 40 W/K.
(8 Ohm, 20 Hz - 20 kHz
und 0,3% Gesamt-
klirrfaktor)
50 W/K. + 50 W/K.
(8 Ohm, 1 kHz und 0,3%
Gesamtkl irrfaktorl
50 W/K. + 50 W/K.
(4 Ohm, 1 kHz und 0,3%
G esamtk I irrfak tor)
10 Hz - 50 kHz
20 Hz - 20 kHz (±1 dB)
(bei Nennleistung)
Kleiner als 0,3%
(bei halber Nennleistung)
Kleiner als 0,02%
lntermodulations-Verzerrung
(bei Nennleistung)
Kleiner als 0,3%
(bei halber Nennleistung)
Kleiner als 0,04%
Eingangsempfindlichkeit ( lmpedanz)
PHONO
2,0 mV (45 kOhm)
AUX
120 mV (50 kOhm)
T APE-1
120 mV (50 kOhm)
TAPE-2 (DIN)
120 mV (50 kOhm)
Ausgangspegel
TAPE OUT
DIN OUT
120 mV (PHONO, AUX,
TUNER)
40 mV (PHONO bei Nenn-
eingangsleistung)
CARACTERISTIQUES TECHNIQUES
Sortie
Puissance RMS
(deux canaux)
40 W/c. + 40 W/c.
(8 ohms, 20 Hz - 20 kHz,
D.H.T. 0,3%)
50 W/c. + 50 W/c. (8 ohms,
1 kHz, D.H.T. 0,3%)
Sande passante en pu issance
Courbe de frequence
50 W/c. + 50 W/c. (4 ohms,
1 kHz, D.H.T. 0,3%)
10Hza50kHz
20 Hza 20 kHz (±1 dB)
(AUX, TAPE)
Distorsion harmonique
(a la puissance nominale)
Mains que 0,3%
(a la moitie de la puissance nominale)
Mains que 0,02%
Distorsion d'intermodulation
(a la puissance nominale)
Mains que 0,3%
(a la moitie de la puissance nominale)
Mains que 0,04%
Sensibilite d'entree (Impedance)
PHONO
2,0 mV (45 k-ohms)
AUX
120 mV (50 k-ohms)
TAPE-1
120 mV (50 k-ohms)
TAPE-2 (DIN)
120 mV (50 k-ohms)
Niveau sortie
TAPE OUT
DIN OUT
120 mV (PHONO, AUX,
TUNER)
40 mV (PHONO
a
l'entree
nominale)
-2-
Phonouberlastungspegel (bei 1 kHz, 0,3% Gesamtklirrfaktor)
150mV
Geriiuschspannungsabstand
(IHF,A-Netz)
PHONO
75dB
AUX, TUNER, TAPE
90 dB
Dampfungsfaktor
40 ( 1 kHz, 8 Ohm)
Entzerrung
R IAA ±0,3 dB
Tiefeneinstellung
±8 dB (100 Hz)
Hoheneinstellung
±8 dB (10 kHz)
Gehorrichtige Lautstarkekontur
BestGckung
Netzspannung
Leistu ngsaufnahme
Abmessu ngen
Gewicht
+ 6 dB (100 Hz)
+ 4 dB (10 kHz)
1 IC, 24 T ransistoren u nd
18 Dioden
120 V - 60 Hz oder
-120 V/220 V/240 V
50/60 Hz
160 W (bei 1/3 Nenn-
leistung)
260W (bei Nennteistu ng)
390 (B) x 143
(H)
~
330 (T) mm
7,8 kg
Anderungen der Konstruktion und technischen Oaten
bleiben im Sinne der stiindigen Verbesserung vorbehalten.
Niveau de surcharge phono
(a
1 kHz, D.H.T. 0,3%)
150 mV
Rapport signal/bruit
(IHF,reseau Al
PHONO
75dB
AUX, TUNER, TAPE
90 dB
Facteur d'attenuation
40 (1 kHz, 8 ohms)
Compensateur
R IAA ±0,3 dB
Reglage de grave
±8 dB (100 Hz)
Reglage d'aigu
±8 dB (10 kHz)
Correction sonore physiologiqi.Je
Sem iconducteu rs
Alimentation
Consommation
Dimensions
Po ids
+6 dB (100 Hz),
+4 dB (10 kHz)
1 Cl, 24 transistorset
18 diodes
CA 120 V 60 Hz ou
~
120 V/220
V/24~
V
50/60 Hz
160 W
(a
1 /3 pu issonce
nominale)
260 W
(a
la puissance
nominale)
390
(L)
x 143 (H)
~
330 (P) mm
7,8 kg
Les caracteristiques techniques et la presentation
~eu
vent
etre modifiees sans preavis pour des raisons d'ameliGra-t:ion_
(
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