Table of Contents
Advertisement
for BD media
LASER Specification
Type:
Semiconductor laser InGaN
Wave Length:
400 nm ~ 410 nm (Typical 405 nm)
Divergence:
θ = 16 ° ~ 24 ° (Typical 20 °)
Output Power:
Read = 0.53 mW
Write = 19.6 mW
Laser-Daten:
(For German)
Typ:
InGaN-Halbleiter-Laser
Wellenlänge:
400 nm ~ 410 nm (Typisch 405 nm)
Divergenz:
θ = 16 ° ~ 24 ° (Typisch 20 °)
Ausgangsleistung:Lesen = 0,53 mW
Schreiben = 19,6 mW
LASER:
(For French)
Type:
Laser semi-conducteur InGaN
Longueur d'ondes:400 nm ~ 410 nm (Environ 405 nm)
Divergence:
θ = 16 ° ~ 24 ° (Environ 20 °)
Puissance de sortie:Lecture = 0,53 mW
Ecriture = 19,6 mW
Laser- specifikationer:
Typ:
Laserhalvedare InGaN
Våglängd:
400 nm ~ 410 nm (Typiskt 405 nm)
Divergens:
θ = 16 ° ~ 24 ° (Typiskt 20 °)
Uteffekt:
Läsning = 0,53 mW
Skrivning = 19,6 mW
for DVD media
LASER Specification
Type:
Semiconductor laser AlGaInP
Wave Length:
657 nm ~ 665 nm (Typical 662 nm)
Divergence:
θ = 14 ° ~ 19 ° (Typical 16 °)
Output Power:
Read = 1.42 mW
Write = 67 mW
Laser-Daten:
(For German)
Typ:
AlGaInP-Halbleiter-Laser
Wellenlänge:
657 nm ~ 665 nm (Typisch 662 nm)
Divergenz:
θ = 14 ° ~ 19 ° (Typisch 16 °)
Ausgangsleistung:Lesen = 1,42 mW
Schreiben = 67 mW
LASER:
(For French)
Type:
Laser semi-conducteur AlGaInP
Longueur d'ondes:657 nm ~ 665 nm (Environ 662 nm)
Divergence:
θ = 14 ° ~ 19 ° (Environ 16 °)
Puissance de sortie:Lecture = 1,42 mW
Ecriture = 67 mW
Laser- specifikationer:
Typ:
Laserhalvedare AlGaInP
Våglängd:
657 nm ~ 665 nm (Typiskt 662 nm)
Divergens:
θ = 14 ° ~ 19 ° (Typiskt 16 °)
Uteffekt:
Läsning = 1,42 mW
Skrivning = 67 mW
for CD media
LASER Specification
Type:
Semiconductor laser AlGaAs
Wave Length:
777 nm ~ 790 nm (Typical 783 nm)
Divergence:
θ = 13 ° ~ 17.5 ° (Typical 15 °)
Output Power:
Read = 1.5 mW
Laser-Daten:
(For German)
Typ:
AlGaAs-Halbleiter-Laser
Wellenlänge:
777 nm ~ 790 nm (Typisch 783 nm)
Divergenz:
θ = 13 ° ~ 17,5 ° (Typisch 15 °)
Ausgangsleistung:Lesen = 1,5 mW
LASER:
(For French)
Type:
Laser semi-conducteur AlGaAs
Longueur d'ondes:777 nm ~ 790 nm (Environ 783 nm)
Divergence:
θ = 13 ° ~ 17,5 ° (Environ 15 °)
Puissance de sortie:Lecture = 1,5 mW
Laser- specifikationer:
Typ:
Laserhalvedare AlGaAs
Våglängd:
777 nm ~ 790 nm (Typiskt 783 nm)
Divergens:
θ = 13 ° ~ 17,5 ° (Typiskt 15 °)
Uteffekt:
Läsning = 1,5 mW
A-2
(For Swedish)
(For Swedish)
(For Swedish)
LASER Spesifikasjon:
(For Norwegian)
Type:
Halvleder laser InGaN
Bølgelengde:
400 nm ~ 410 nm (Typisk 405 nm)
Divergens:
θ = 16 ° ~ 24 ° (Typisk 20 °)
Utgangseffekt:
Lese = 0,53 mW
Skrive = 19,6 mW
Laser Specifikationer:
(For Danish)
Type:
Semiconductor InGaN
Bølge-længde:
400 nm ~ 410 nm (Typisk 405 nm)
Divergens:
θ = 16 ° ~ 24 ° (Typisk 20 °)
Udgang-effekt:
Læse = 0,53 mW
Skrive = 19,6 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi:
Laserpuolijohdin InGaN
Aallon pituus:
400 nm ~ 410 nm (Tyypillinen 405 nm)
Hajaantuminen: θ = 16 ° ~ 24 ° (Tyypillinen 20 °)
Teho:
Lue = 0,53 mW
Kirjoita = 19,6 mW
LASER Spesifikasjon:
(For Norwegian)
Type:
Halvleder laser AlGaInP
Bølgelengde:
657 nm ~ 665 nm (Typisk 662 nm)
Divergens:
θ = 14 ° ~ 19 ° (Typisk 16 °)
Utgangseffekt:
Lese = 1,42 mW
Skrive = 67 mW
Laser Specifikationer:
(For Danish)
Type:
Semiconductor AlGaInP
Bølge-længde:
657 nm ~ 665 nm (Typisk 662 nm)
Divergens:
θ = 14 ° ~ 19 ° (Typisk 16 °)
Udgang-effekt:
Læse = 1,42 mW
Skrive = 67 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi:
Laserpuolijohdin AlGaInP
Aallon pituus:
657 nm ~ 665 nm (Tyypillinen 662 nm)
Hajaantuminen: θ = 14 ° ~ 19 ° (Tyypillinen 16 °)
Teho:
Lue = 1,42 mW
Kirjoita = 67 mW
LASER Spesifikasjon:
(For Norwegian)
Type:
Halvleder laser AlGaAs
Bølgelengde:
777 nm ~ 790 nm (Typisk 783 nm)
Divergens:
θ = 13 ° ~ 17,5 ° (Typisk 15 °)
Utgangseffekt:
Lese = 1,5 mW
Laser Specifikationer:
(For Danish)
Type:
Semiconductor AlGaAs
Bølge-længde:
777 nm ~ 790 nm (Typisk 783 nm)
Divergens:
θ = 13 ° ~ 17,5 ° (Typisk 15 °)
Udgang-effekt:
Læse = 1,5 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi:
Laserpuolijohdin AlGaAs
Aallon pituus:
777 nm ~ 790 nm (Tyypillinen 783 nm)
Hajaantuminen:
θ = 13 ° ~ 17,5 ° (Tyypillinen 15 °)
Teho:
Lue = 1,5 mW
Advertisement
Table of Contents
