MSI MS-7793 Manual page 174

MS-7793 主機板
▶ tCL
本項控制行位址信號 (CAS) 延遲，也就是接收讀取指令後，開始讀取前的延遲時序
(以時脈計)。
▶ tRCD
本項設定列位址 (RAS) 到行位址 (CAS) 之間的轉換時序。時脈數越少，記憶體的效
能就越好。
▶ tRP
本項控制列位址 (RAS) 預充電的時脈週期。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體
更新之前預充電，記憶體可能無法保留資料。本項在系統已安裝同步記憶體時才能
適用。
▶ tRAS
本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
▶ tRTP
本項設定讀取到預充電間的間隔時間。
▶ tRC
本項是記憶體由列活化到預充電整個所需的最小週期。
▶ tWR
本項是寫入資料結束到預充電指令開始間的最短間距。本項透過感覺放大器 (sense
amplfier) 將資料回復。
▶ tRRD
本項設定不同記憶體分組之間 (actve-to-actve) 的延遲時序。
▶ tWTR
本項是寫入資料結束，一直到行讀取指令開始之間的最短間距。讓輸出入閘道驅動
感覺放大器後，再開始讀取指令。
▶ tRFC0/ 1
本項決定 RFC0/1 由記憶體讀取及寫入記憶體所需時間。
▶ Advanced Channel 1/ 2 Tmng Configuraton
按下 <Enter> 鍵以進入子選單。接著可在各個通道設定進階記憶體時序。
▶ CPU Core Vdroop Offset Control
本項用來選擇 CPU 核心 Vdroop 補償控制模式。
▶ CPU NB Vdroop Offset Control
本項用來選擇 CPU-NB Vdroop 補償控制模式。
Tc-36