MSI MS-7793 Manual page 132

MS-7793 マザーボード
▶ tCL
SDRAMが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでのタイミング遅
延であるCASレイテンシーを設定します。
▶ tRCD
RAS(行アドレス信号)とCAS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定します。一
般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がります。
▶ tRP
DRAMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定します。
RAS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するための時間が
足りない場合はDRAMのリフレッシュは不完全になり、DRAMがデータを保持で
きなくなることがあります。システムに同期DRAMをインストールした場合のみ
この項目が利用できます。
▶ tRAS
RAS(行アドレス信号)が発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定しま
す。
▶ tRTP
データ読み込みとプリチャージ命令の時間間隔をコントロールします。
▶ tRC
列サイクルタイムは、メモリ列が列の起動からアクティブ列のプリチャージまで
の一つの周期に要するクロックサイクルの最小数を決めます。
▶ tWR
プリチャージが掛かる前のデータの書込みに要する時間を手動で設定するのが
tWRです。この設定ではプリチャージが掛かる前に、書込みバッファのデータが
メモリセルに完全に書き込まれるように設定する必要があります。
▶ tRRD
異なるメモリバンク間でデータアクセスを行うための遅延時間を手動で設定しま
す。
▶ tWTR
同じメモリバンク内で処理される書き込み命令から読み取り命令までの間隔時間
を手動で設定します。読み取り命令の始める前にI/O gatngがセンス増幅器を増速
駆動できます。
▶ tRFC0/ 1
RFC0/1が発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定します。
▶ Advanced Channel 1/ 2 Tmng Configuraton
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。各チャンネルのための高級
なメモリタイミングを設定できます。
▶ CPU Core Vdroop Offset Control
CPUコアVdroop offsetコントロールモードを選択します。
▶ CPU NB Vdroop Offset Control
CPU-NB Vdroop offsetコントロールモードを選択します。
Jp-36