MSI G4m-P23 User Manual page 135

tRaS
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RaS
由讀取到寫入記憶體所需時間
tRtP
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。讀取到預充電
間的時間差。
tRFC
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC
由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項指定在有效
寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入
緩衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。
tRRd
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項設定不同記
憶體間的 active-to-active 延遲時間。
tWtR
將「記憶體時序模式」設為手動 [manual] 時，可調整本欄位。本項設定資料寫
入到讀取指令延遲時間。本項包括在上次有效寫入到下次讀取指令到相同 ddR
裝置內部記憶體間產生的最小時脈數。
FSB/dRam Ratio ( FSB / 記憶體倍頻比率 )
本項可調整 FSB 的倍頻比率到記憶體。
adjusted dRam Frequency (mHz) ( 調整後記憶體頻率 )
本項顯示調整後記憶體的頻率。唯讀。
adjust PCi-e Frequency (mHz) ( 調整 PCi-e 頻率 )
本項設定 PCi-e 頻率。
auto disable dRam/PCi Frequency ( 自動關閉記憶體/ PCi 頻率 )
設為開啟[enabled]，系統會從空出的插槽移除(關閉)時脈，以減少電磁波干擾
(emi)。
dRam Voltage (V), nB Voltage (V), CPu Vtt (V), CPu Voltage (V)
本項設定記憶體 、北橋及 CPu 的電壓。
Spread Spectrum ( 展頻組態 )
主機板時脈產生器開展到最大時，脈衝的極大值突波，會引起電磁波干擾(emi)。
展頻組態功能，可藉由調節脈衝以減少 emi 的問題。若無電磁波干擾的問題，請
將本項目設為關閉 [disabled]，以達到較佳的系統穩定性及效能。若要符合 emi
規範，請選擇開啟 [enabled]，以減少電磁波。切記，如需進行超頻，請務必將本
功能關閉，因為即使是些微的劇波，均足以引起時脈速度的增快，進而使超頻中
的處理器被鎖定。
MS-7592
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