MSI G41M-P34 User Manual page 150

CPu technology Support (CPuテクノロジーサポート)
<enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。CPuのサポートする
テクノロジーを表示します。
intel eiSt
拡張版インテル
Speed StepテクノロジーはCPuの負荷に応じて電圧と周波数を変化させ、パ
フォーマンスと省電力を両立させCPuの発熱を抑える機能です。拡張版イン
テル Speed Stepテクノロジー(eiSt)をサポートするCPuを搭載した場合に
®
設定が可能です。
adjust CPu FSB Frequency (mHz) (CPu FSB周波数を調整する)
CPu FSB周波数を調整します。
adjusted CPu Frequency (mHz) (調整したCPu周波数)
調整したCPu周波数 (FSB x 倍率)を表示します。読取専用です。
memoRy-Z
<enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。
dimm/2 memory SPd information (dimm/2メモリSPd情報)
<enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。装着されたメモリの
情報を表示します。
advance dRam Configuration (高級なdRam配置)
<enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。
dRam timing mode (dRamタイミングモード)
この項目でdRamタイミングがdRamモジュールのSPd (Serial Presence
detect)
[auto By SPd]に設定すると、SPdの情報を基に、自動的に最適な設定を行
います。[manual]に設定すると、以下のメニューを手動で設定します。
CaS Latency (CL)
[dRam timing mode]を[manual]に設定すると、このフィールドが調整でき
ます。SdRamが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでの
タイミング遅延であるCaSレイテンシーを設定します。
tRCd
[dRam timing mode]を[manual]に設定すると、このフィールドが調整でき
ます。RaS(行アドレス信号)とCaS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設
定します。一般的にクロックサイクル値が小さいほどdRamの動作速度が
上がります。
tRP
[dRam timing mode]を[manual]に設定すると、このフィールドが調整で
きます。dRamがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で
設定します。RaS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を
蓄積するための時間が足りない場合はdRamのリフレッシュは不完全にな
り、dRamがデータを保持できなくなることがあります。システムに同期
dRamをインストールした場合のみこの項目が利用できます。
tRaS
[dRam timing mode]を[manual]に設定すると、このフィールドが調整でき
ます。RaS(行アドレス信号)を発信してからデータが読み出されるまでの時
間です。
50
SpeedStepテクノロジー(eiSt)の有効/無効を設定します。
®
eePRom情報によりコントロールするかどうかを決定します。