MSI G41M4 series User Manual page 42

밍을 결정할 수 있습니다. 클록 사이클이 짧을수록 dRaM 성능이 빨라집니다.
tRP
dRaM timing Mode(dRaM 타이밍 모드)가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으
면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. 이 항목은 사전에 충전할 수 있는 RaS 사이
클 수를 제어합니다. dRaM 재충전 이전에 RaS가 충전 시간을 충분히 갖지 못
할 경우, 충전이 불충분해서 dRaM이 데이터를 보존하지 못할 수 있습니다. 이
항목은 시스템에 동기화 dRaM이 설치된경우에만 적용됩니다.
tRaS
dRaM timing Mode(dRaM 타이밍 모드)가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으
면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. 이 설정은 RaS가 메모리 셀로부터 읽거나 메
모리 셀에 쓰는 데 걸리는 시간을 결정합니다.
tRtP
dRaM timing Mode(dRaM 타이밍 모드)가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으
면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. 읽기 명령과 사전 충전 명령 간의 시간 간격
을 결정합니다.
tRFC
dRaM timing Mode(dRaM 타이밍 모드)가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으
면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. 이 설정은 RFC가 메모리 셀로부터 읽거나 메
모리 셀에 쓰는 데 걸리는 시간을 결정합니다.
tWR
dRaM timing Mode(dRaM 타이밍 모드)가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으
면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. 유효한 쓰기 작업의 완료 후 현재 뱅크를 사
전 충전할 수 있을 때까지 경과해야 하는 클럭 사이클의 지연을 지정합니다. 이
지연은 사전 충전이 발생하기 전에 쓰기 버퍼의 데이터를 메모리 셀에 쓸 수 있
도록 하는 데 필요합니다.
tRRd
dRaM timing Mode(dRaM 타이밍 모드)가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으
면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. 다른 뱅크의 active-to-active 지연을 지정합
니다.
tWtR
dRaM timing Mode(dRaM 타이밍 모드)가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으
면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. 이 항목은 읽기 명령지연에 데이터 쓰기
(Write data in to Read Command delay) 메모리 타밍을 제어합니다. 이 항목이
ddR 장치의 동일한 내부 뱅크에 대한 유효한 최종 쓰기 작업과 다음 읽기 명령
사이에 발생하는 클럭 사이클의 최소 수를 구성합니다.
FSB/dRaM Ratio
이 항목을 사용하면 메모리에 대한 FSB 비율을 조정할 수 있습니다.
adjusted dRaM Frequency (MHz)
이 항목은 메모리 주파수를 표시합니다. 읽기 전용입니다.
adjust PCi-e Frequency (MHz)
이 항목을 사용하여 PCi-e 주파수(MHZ)를 선택할 수 있습니다.
auto disable dRaM/PCi Frequency
[사용(enabled)]으로 설정하면 시스템이 빈 diMM 및 PCi 슬롯에서 클록을 제거(전
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