MSI G41M4 series User Manual page 114

随机存取内存时。
tRaS
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定RaS由读取到
写入内存所需时间。
tRtP
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定读指令和预充
电之间的时间间隔。
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定RFC由读取到
写入内存所需时间。
tWR
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定从整个有效的
写入过程到内存预充电之间的延迟时脉。为确保预充电前，写入缓冲器的资料
能确实写入内存。
tRRd
当dRaM timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定不同内存块ac-
tive-to-active 的延迟。
tWtR
当dRaM timing Mode 设置为 [Manual]，此项调整。此项控制写入资料到读取
指令延迟的内存时序。 包含最后有效读入过程到下次读取指令给同台ddR 装置
间所需的最小时脉。
FSB/dRaM Ratio （FSB/dRaM 比率）
此项允许您调整FSB/内存倍频。
adjusted dRaM Frequency (MHz) （调整后的内存频率，单位MHZ）
显示调整后的ddR内存频率。只读。
adjust PCi-e Frequency (MHz) （调整 PCi-e 频率，单位MHZ）
此项允许您设定PCi-e 频率（MHz） 。
auto disable dRaM/PCi Frequency （自动关闭 dRaM/PCi 频率）
设为[enabled],系统将从空的PCi插槽移除（关闭）时钟以最小电磁干扰（eMi）。
Spread Spectrum （频展）
当主板上的时钟震荡发生器工作时,脉冲的极值（尖峰）会产生eMi（电磁干
扰）。频率范围设定功能可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰，所以脉冲波的
尖峰会衰减为较为平滑的曲线。如果您没有遇到电磁干扰问题，将此项设定为
disabled，这样可以优化系统的性能表现和稳定性。但是如果您被电磁干扰问题困
扰，请将此项设定为enabled，这样可以减少电磁干扰。注意，如果您超频使用，
必须将此项禁用。因为即使是微小的峰值漂移（抖动）也会引入时钟速度的短暂
突发，这样会导致您超频的处理器锁死。
注意
i如果您没有任何eMi方面的问题，要使系统获得最佳的稳定性和性能，请设置为
*
[disabled]。但是如果您被eMi所干扰，请选择Spread Spectrum（频展）的值，
以减少eMi。
Spread Spectrum（频展）的值越高，eMi会减少，系统地稳定性也相应降低。
*
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