MSI Wind Board D410 Manual page 105

▶ tRCD tRCD
在DRAM更新時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址
(CAS) 之間的過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
▶ tRP tRP
本項控制列位址(RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之
前預充電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同
步動態隨機存取記憶體時。
▶ tRAS tRAS
本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
▶ Auto Disable DRAM/PCI Frequency ( 自動關閉記憶體/ PCI 頻率 ) Auto Disable DRAM/PCI Frequency ( 自動關閉記憶體/ PCI 頻率 )
設為開啟 [Enabled]，系統會從未使用的記憶體/ PCI 插槽移除 (關閉) 時脈以減少電磁波
干擾 (EMI)。
▶ CPU VTT (V)/ DRAM Voltage (V)/ CPU NB (V)/ SB 1.50 (V) CPU VTT (V)/ DRAM Voltage (V)/ CPU NB (V)/ SB 1.50 (V)
上述選項用來調整 CPU、記憶體、CPU 南北橋的電壓。
▶ Spread Spectrum ( 展頻組態 ) Spread Spectrum ( 展頻組態 )
主機板的時脈產生器開展到最大時，脈衝的極大值突波，會引起電磁波干擾(EMI)。本
功能，可藉由調節脈衝以減少 EMI 的問題。
注意事項 注意事項
• 若無電磁波干擾 (EMI) 的問題，請設為關閉 [Disabled]，以達較佳的系統穩定性及效
能。但若要符合 EMI 規範，請選擇要減少電磁波的範圍。
• 展頻的數值越大，可減少較多電磁波，但相對系統就越不穩定。欲知展頻適當數值，
請查詢當地規範。
• 如需進行超頻，請務必將本功能關閉，因為即使是些微的劇波，均足以引起時脈速度
的增快，進而使超頻中的處理器被鎖定。
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(RAS) 到行位址
Tc-23