MSI Z68A-GD65 Series Manual page 109

▶ EIST
L'Enhanced Intel SpeedStep Technologe vous permet de configurer le nveau de
performance du mcroprocesseur s l'ordnateur fonctonne en battere ou en l'adapteur
d'almentaton. Ce domane vous apparîtra après que vous nstallez le CPU qu supporte
la technologe speedstep.
▶ Intel Turbo Boost
Cet artcle apparaît lorsque vous nstallez un CPU supportant l'Intel Turbo Boost Tech-
nologe. Ce menu sert à actver ou désactver l'Intel Turbo Boost Technologe. Elle peut
augmenter la fréquence du processeur dynamquement lorsque les applcatons de-
mandent une melleure performance et le TDP reste dans la plage de température. Elle
peut également offrr une augmentaton de la pussance sans erreurs (Dynamque aug-
mentaton, basse par étape). C'est la nouvelle technologe Intel pour nouveaux CPU.
▶ DRAM Frequency
Ce menu vous permet d'ajuster la fréquence DRAM. Veullez noter que le comportement
d'overclockng n'est pas garant.
▶ Adjusted DRAM Frequency
Il montre la fréquence ajustée de la DRAM. Lecture unquement.
▶ DRAM Tmng Mode
Le chox de décson s le tmng DRAM est contrôlé par le SPD (Seral Presence Detect)
EEPROM sur le module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sous-
menu suvant "Advance DRAM Configuraton" d'être détermné par le BIOS basé sur la
configuraton du SPD. La mse en [Lnk] ou [Unlnk] vous permet de configurer le tmngs
DRAM et le sous-menu suvant "Advance DRAM Configuraton" relatfs manuellement.
▶ Advanced DRAM Configuraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
▶ Command Rate
Ce réglage contrôle le taux d'ordre DRAM.
▶ tCL
Il contrôle la latence CAS, qu détermne le retard du tmng (en cycle d'horloge)
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l'avor reçu.
▶ tRCD
Quand le DRAM est rafraîch, les rangs et les colonnes sont tous adressés séparé-
ment. Cet artcle vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Mons fonctonne l'horloge, plus
vte est la performance de DRAM.
▶ tRP
Cet artcle contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) sot
autorsé à pré-charger. S'l n'y a pas assez de temps pour que le RAS accumule sa
charge avant le rafraîchssement de la DRAM, le rafraîchssement peut être ncom-
plet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cet artcle s'applque seulement
quand le DRAM synchrone est nstallé dans le système.
▶ tRAS
L'artcle détermne le temps que le RAS prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
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