MSI P55-GD80 series User Manual page 151

▶ CH1/ CH2 tRCD
Quand le DRAM est rafraîch, les rangs et les colonnes sont tous adressés séparé-
ment. Cet artcle vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Mons fonctonne l'horloge, plus
vte est la performance de DRAM.
▶ CH1/ CH2 tRP
Cet artcle contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) sot
permt à précharger. S'l n'y a pas assez de temps pour que le RAS accumule son
charge avant le refraîchssement de to DRAM, le refraîchssement peut être ncom-
plet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cet artcle applque seulement
quand le DRAM synchrone est nstallé dans le système.
▶ CH1/ CH2 tRAS
L'artcle détermne le temps que le RAS prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
▶ CH1/ CH2 tRFC
Ce réglage détermne le temps que RFC prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
▶ CH1/ CH2 tWR
L'nterval de temps mnmum entre la fin d'apparton d'écrture de données et le
début de l'ordre de précharge. Permet à l'amplfier de sens de conserver les don-
nées aux cellules.
▶ CH1/ CH2 tWTR
L'nterval de temps mnmum entre la fin d'apparton d'écrture de données et le
début de l'ordre de précharge. Permet à I/O gatng de sur-fonctonner l'amplfier de
sens avant qu'un ordre de lecture commence.
▶ CH1/ CH2 tRRD
Spécfie le retard actve-à-actve de banques dfférentes.
▶ CH1/ CH2 tRTP
L'nterval de temps entre un ordre de lre et un ordre de précharge.
▶ CH1/ CH2 tFAW
Cet artcle sert à régler le tmng tFAW.
▶ Current CH1/ CH2 tdrRdTRd/ tddRdTRd/ tsrRdTWr/ tdrRdTWr/ tddRdTWr/
tsrWrTRd/ tddWrTWr/ tsrRDTRd/ tsrWrTWr
Ces artcles montrent le tmngs DRAM avancé.
▶ Channel 1/ Channel2 Advanced Memory Settng
La mse en [Auto] actve le tmng de mémore avancé automatquement d'être déter-
mné par le BIOS. La mse en [Manual] vous permet de régler le tmngs de mémore
avance suvant.
▶ Memory Rato
Cet artcle vous permet de régler le multpler de la mémore.
Franças
Fr-45