MSI G41M-P33 Combo User Manual page 150

intel eiSt
拡張版インテル
StepテクノロジはCPuの負荷に応じて電圧と周波数を変化させ、パフォーマン
スと省電力を両立させCPuの発熱を抑える機能です。拡張版インテル
Stepテクノロジ(eiSt)をサポートするCPuを搭載した場合に設定が可能です。
Ce Support (Ceサポート)
CPuがアイドル状態の時に消費電力を低減できます。ただし、全てのCPuがこ
の拡張命令(Ce)をサポートしているわけではありません。
adjust CPu Base Frequency (mHz) (CPuベース周波数を調整する)
CPuベースクロックを設定します(mHz)。数値を調整してCPuをオーバークロ
ックすることができます。このオーバークロックの行為が製品保証の対象外で
すのでご注意ください。
adjusted CPu Frequency (mHz) (調整したCPu周波数)
調整したCPu周波数を表示します。読取専用です。
advance dRam Configuration (高級なdRam配置)
<enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。
dRam timing mode (dRamタイミングモード)
この項目でdRamタイミングがdRamモジュールのSPd (Serial Presence de-
tect) eePRom情報によりコントロールするかどうかを決定します。[auto By
SPd]に設定すると、SPdの情報を基に、自動的に最適な設定を行います。
[manual]に設定すると、以下のメニューを手動で設定します。
CaS Latency (CL)
[dRam timing mode]を[manual]に設定すると、この項目が調整できます。
SdRamが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでのタイミン
グ遅延であるCaSレイテンシーを設定します。
tRCd
[dRam timing mode]を[manual]に設定すると、この項目が調整できます。
RaS(行アドレス信号)とCaS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定しま
す。一般的にクロックサイクル値が小さいほどdRamの動作速度が上がりま
す。
tRP
[dRam timing mode]を[manual]に設定すると、この項目が調整できます。
dRamがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定しま
す。RaS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するため
の時間が足りない場合はdRamのリフレッシュは不完全になり、dRamがデ
ータを保持できなくなることがあります。システムに同期dRamをインスト
ールした場合のみこの項目が利用できます。
tRaS
[dRam timing mode]を[manual]に設定すると、この項目が調整できます。
RaS(行アドレス信号)を発信してからデータが読み出されるまでの時間です。
tRtP
[dRam timing mode]を[manual]に設定すると、この設定はデータ読み込みと
プリチャージ命令の時間間隔をコントロールします。
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SpeedStepテクノロジ(eiSt)の有効/無効を設定します。Speed
®
Speed
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