MSI A55M-P25 Series Manual page 47

trAS
이 설정은 rAS가 메모리 셀로부터 읽거나 메모리 셀에 쓰는 데 걸리는 시간
을 결정합니다.
trC
행 사이클 시간은 메모리 행이 행 활성화에서 현재 행의 사전 충전에 이르기까지
전체 사이클을 완료하는데 필요한 클럭 사이클의 최소 수를 결정합니다.
trtP
읽기 명령과 사전 충전 명령 간의 시간 간격을 결정합니다.
tWr
이 항목은 데이터 버스트 쓰기 끝기부터 사전 충전 명령 시작까지의 최소 시간 간
격을 제어합니다. 감지 증폭기로 셀에 데이터를 복원합니다.
trrd
다른 뱅크의 active-to-active 지연을 지정합니다.
tWtr
이 항목은 데이터 버스트 쓰기 끝기부터 선충전 칼럼 읽기 명령 시작까지의 최소
시간 간격을 제어합니다. 이 항목은 읽기 명령을 시작하기 전에 i/o gating이 감
지 증폭기를 활성화할 수 있습니다.
trFC0/ 
이 설정은 rFC0/이 메모리 셀로부터 읽거나 메모리 셀에 쓰는 데 걸리는 시
간을 결정합니다.
tWCL
이 항목은 tWCL (Write CAS Latency) 타이밍 설정에 사용됩니다.
tFAW
이 항목은 tFAW (four activate window delay) 타이밍 설정에 사용됩니다.
treF
이 항목은 treF (refresh rate) 타이밍 설정에 사용됩니다.
Advanced Channel / 2 timing Configuration
<enter>를 눌러 서브 메뉴를 시작합니다. 각 채널의 고급 메모리 타이밍을 설
정할 수 있습니다.
trWtt0/ tWrrd/ tWrWr/ trdrd
이 항목을 사용하여 메모리 채널 / 2의 메모리 타이밍을 설정합니다.
Bank interleaving
뱅크 인터리빙은 메모리의 오버클로킹 성능을 높이는데 중요한 변수입니다. 이
를 사용하여 여러 개의 뱅크를 동시에 액세스할 수 있습니다.
drAM Voltage
이 항목을 사용하여 메모리 전압을 조정합니다.
MS-7786
47