MSI A55M-P25 Series Manual page 127

trAS
此设置决定了 rAS 由读取到写入内存所需时间。
trC
行周期时间决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到
行充电的时间
trtP
此项指定读指令和预充电之间的时间间隔。
tWr
最后一次写操作和下一次开始预充电操作之间的最小时间间隔，允许感觉线路
恢复核心数据。
trrd
Specifies the active-to-active delay of different banks.
tWtr
最后一次有效写操作和下一次开始读操作之间的最小时间间隔。允许i/o在读命
令开始前超速感觉线路。
trFC0/ 
此项设置决定了 rFC0/ 从存储单元读取和写入所花费的时间。
tWCL
此项用来设置 tWCL (Write CAS Latency) 时序。
tFAW
此项用来设置 tFAW (four activate window delay) 时序。
treF
此项用来设置 treF (refresh rate) 时序。
Advanced Channel / 2 timing Configuration
按 <enter> 进入子菜单。并且你可以为每个通道设置高级内存时序。
trWtt0/ tWrrd/ tWrWr/ trdrd
此项用来为通道 / 2 设置内存时序。
Bank interleaving
对提升内存超频性能来说，存储器组交错是一个重要参数。它允许系统同时存
取多个存储器组。
drAM Voltage
此选项用来调整内存电压。
MS-7786
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