MSI H6M-E33 (G3) User Manual page 107

MS-7788
tCL
Этот пункт контролирует время задержки CAS, которое определяет
период (в тактах) между получением памятью SdrAM команды чтения и
началом ее выполнения.
trCd
При регенерации заряда drAM строки и столбцы адресуются раздельно.
Этот пункт позволяет определить время перехода от rAS (строб адреса
строки) к CAS (строб адреса столбца). Чем меньше тактов, тем быстрее
работает память drAM.
trp
Этот пункт контролирует количество тактов, предоставляемых для
предзаряда row Address Strobe (rAS). Если выделяется недостаточное
время для заполнения ЗУПВ перед обновлением drAM, обновление
может оказаться неполным и drAM не сможет сохранить данные. Этот
пункт применим, когда в системе установлена синхронная память drAM.
trAS
Этот пункт определяет время, которое rAS затрачивает на чтение и
запись в ячейку памяти.
trFC
Этот пункт определяет время, которое rFC затрачивает на чтение и
запись в ячейку памяти.
tWr
Минимальная временная задержка для выполнения операции записи пе-
ред командой предзаряда. Позволяет усилителям считывания записать
данные в ячейки памяти.
tWtr
Минимальная временная задержка между завершением команды записи
и началом команды считывания столбца. Позволяет системе ввода/выво-
да сбросить напряжения на усилителях считывания.
trrd
Параметр определяет задержку перехода от активного-к-активному
состоянию для разных банков.
trtp
Временной интервал между командами чтения и предзаряда.
tFAW
данный параметр используется для настройки синхронизации tFAW
(задержка активации четырех окон).
tWCL
данный параметр используется для синхронизации tWCL (задержка
сигнала записи CAS).
tCkE
данная кнопка служит для установки ширины импульса для модуля
памяти drAM.
07