MSI P67A-GD65 Series Manual page 114

Carte mère MS-7681
▶ Intel Turbo Booster
Cet artcle apparaît lorsque vous nstallez un CPU supportant l'Intel Turbo Boost Tech-
nologe. Ce menu sert à actver ou désactver l'Intel Turbo Boost Technologe. Elle
peut augmenter la fréquence du processeur dynamquement lorsque les applcatons
demandent une melleure performance et le TDP reste dans la plage de température.
Elle peut également offrr une augmentaton de la pussance sans erreurs (Dynamque
augmentaton, basse par étape). C'est la nouvelle technologe Intel pour les nouveaux
CPU.
▶ DRAM Rato
Ce réglage contrôle le rato de fréquence mémore pour permettra à la mémore de
fonctonner avec des combnasons de dfférentes fréquences.
▶ Extreme Memory Profile(X.M.P)
Cet artcle sert à actver/ désactver l'Intel Extreme Memory Profile (XMP). Pour plus
d'nformatons veullez vous référer au ste Internet officel.
▶ Adjusted DRAM Frequency
Il montre la fréquence ajustée de la DRAM. Lecture unquement.
▶ DRAM Tmng Mode
Le chox de décson s le tmng DRAM est contrôlé par le SPD (Seral Presence Detect)
EEPROM sur le module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sous-
menu suvant "Advance DRAM Configuraton" d'être détermné par le BIOS basé sur la
configuraton du SPD. La mse en [Manual] vous permet de configurer le tmngs DRAM
et le sous-menu suvant "Advance DRAM Configuraton" relatfs manuellement.
▶ Advanced DRAM Configuraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
▶ Command Rate2
Ce réglage contrôle le taux d'ordre DRAM.
▶ tCL
Il contrôle la latence CAS, qu détermne le retard du tmng (en cycle d'horloge)
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l'avor reçu.
▶ tRCD
Quand le DRAM est rafraîch, les rangs et les colonnes sont tous adressés séparé-
ment. Cet artcle vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Mons fonctonne l'horloge, plus
vte est la performance de DRAM.
▶ tRP
Cet artcle contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) sot
autorsé à pré-charger. S'l n'y a pas assez de temps pour que le RAS accumule sa
charge avant le rafraîchssement de la DRAM, le rafraîchssement peut être ncom-
plet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cet artcle s'applque seulement
quand le DRAM synchrone est nstallé dans le système.
▶ tRAS
L'artcle détermne le temps que le RAS prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
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